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41.
驱动电子墨水电子纸的柔性TFT背板制造技术   总被引:1,自引:2,他引:1  
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器。实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一。文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法。对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向。  相似文献   
42.
基于FPGA的AMOLED驱动控制系统设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
李文明  荆海  马凯 《现代显示》2007,18(7):38-44
根据有机电致发光显示器件的显示原理,选用NEC公司的液晶驱动芯片并适当运用,利用视频解码芯片SAA7113H和Altera公司的低成本Cyclone FPGA器件,设计出一种驱动5.2in(320×3×240)彩色有源OLED视频显示的新方案,此方案可以实现各子像素64级灰度显示。本文详细介绍了系统组成结构和各部分的工作原理。在QuartusII软件开发环境下对FPGA内部各模块进行设计和仿真,并验证了方案的可行性。利用可编程逻辑器件FPGA的可编程特性,可以方便地设计出更高分辨率显示屏的驱动控制电路。该系统可作为一种测试OLED显示屏特性的平台。  相似文献   
43.
荆海  张志东 《液晶与显示》1999,14(3):167-174
利用液晶弹性理论和动力学理论对共面转换液晶显示器件响应时间参数进行了分析,将聚合物网络引入这种模式,利用聚合物网络对液晶的锚定作用,使得IPS液晶显示器件的下降响应时间得到极大改善。实验结果表明,聚合物的百分比含量对哗啦的响应时间、阈值电压、对比度有较大影响。  相似文献   
44.
分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法--自动调节存储电容的电压以保证电流不变.着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析.在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善.  相似文献   
45.
无色移共面转换液晶显示   总被引:8,自引:4,他引:4  
建立单面摩擦的共面转换(One-Side-RubbingIn-PlaneSwitching)液晶显示模式,探讨了这种模式的显示机理,介绍了单面摩擦的共面转换液晶显示器件制作方法、测试过程和实验结果。实验结果表明,这种单面摩擦的共面转换液晶显示器件具有很好的视角特性和灰度特性,消除了其他共面转换模式带有的色移现象。  相似文献   
46.
根据TFT-LCD的工作原理和显示驱动电路的结构,应用硬件设计出小尺寸TFT-LCD的驱动电路,实现图像的清晰显示.介绍了硬件电路设计的实现方法.  相似文献   
47.
氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用   总被引:4,自引:4,他引:0  
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat—CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2) FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm^-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键.及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。  相似文献   
48.
用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜   总被引:3,自引:2,他引:1  
提出了一种新的晶化方法——金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA)。该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与e-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。  相似文献   
49.
对多晶硅薄晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2-20,可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转。  相似文献   
50.
本文介绍了在VGA-STN液晶显示器显示程序设计方面所做的一些工作。研究了STN液晶显示器的显示特性,介绍了几种通用的数字半色调显示方法。并在此基础上针对我们研制的单色和多色STN液晶显示器优化设计了显示驱动程序。  相似文献   
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