硅系相变材料的研究进展

阐述了硅系相变材料的研究热点和应用前景.通过原位变温X线衍射(XRD)检测技术,揭示了硅系相变材料在变温过程中的物相结构变化.升温时,硅系相变材料由非晶态转化为晶态,电导性增加;降温时,由晶态转化为非晶态,电导性下降,这对相变储存器存储与擦除技术的实现起关键作用.     

锗系相变材料的晶体结构

介绍了锗系相变材料的应用用原位变温XRD对锗系相变材料相变过程中的晶体结构变化进行实时检测发现,在不同温度会出现不同的晶向论述了锗系相变材料的相变过程即非晶态到面心立方晶态的变化,面心立方晶态到六方晶态的变化,以及掺杂元素对锗系相变材料结构的影响。     

Cu-In-Se组分的相图研究综述

CuInSe2是目前报道的光吸收性能最好的材料之一,其在光伏行业的应用前景十分光明.探讨了Cu-In、In-Se、Cu-Se相图以及Cu-In-Se三元相图的研究成果,归纳了Cu、In、Se各组分之间形成的相及其相平衡关系,同时分析了各相的组成和晶体结构.通过对Cu-In-Se的相图研究,可为CuInSe2材料制备的生产工艺提供有价值的参考.     

激光热冲击引起PZT压电薄膜铁电性能的变化

应用高能量单脉冲激光作用在锆钛酸铅 (PZT)压电薄膜上 ,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能产生的影响。发现在激光未烧熔薄膜的能量密度下 ,经过激光作用后 ,PZT薄膜的铁电性能发生变化 :在外加电压为 6V时 ,剩余极化强度值Pr 从 32 6 99μC/cm2 变到 2 6 316 μC/cm2 ;矫顽电场保持为 38 396kV/cm不变 ;疲劳性能变稳定 ,在循环 1 75× 10 9次时 Pr 衰变率由 4 4 3%变为 34 7%。最后讨论分析了产生这种现象的微观机理。