Al掺杂量对Cu（In1-xAlx）S2薄膜性能的影响

使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶粒尺寸变小。Cu In S2的原位变温XRD结果显示Cu In S2在低于873 K时可以稳定存在,当温度达到873 K时Cu In S2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果呈现Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al/(Al+In)的量在0~0.5变化时,Cu(In_(1-x)Al_x)S_2薄膜的禁带宽度的相应变化为1.56~2.24 e V。     

Cu-In-Se组分的相图研究综述

CuInSe2是目前报道的光吸收性能最好的材料之一,其在光伏行业的应用前景十分光明.探讨了Cu-In、In-Se、Cu-Se相图以及Cu-In-Se三元相图的研究成果,归纳了Cu、In、Se各组分之间形成的相及其相平衡关系,同时分析了各相的组成和晶体结构.通过对Cu-In-Se的相图研究,可为CuInSe2材料制备的生产工艺提供有价值的参考.