高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究

感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni作为掩膜，Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体，对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加，刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜（SEM）分析和俄歇电子能谱（AES）深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明，在满足刻蚀表面形貌的同时，较低的直流偏压下刻蚀速率较慢，但损伤较小，这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。     

冬荪液体深层培养不同时期胞外代谢物研究

为探究冬荪液体深层培养不同时期代谢物动态变化及其关系,基于液体深层培养技术,超高效液相色谱-串联飞行时间质谱联用技术研究了不同发酵时间菌丝体分泌物差异情况.结果表明,534种差异代谢物隶属于有机酸及衍生物、有机氧化合物、苯丙素和聚酮类化合物等13个不同化学类别,有机酸类化合物占比为17.978％是发酵环境成酸性的主要原...     

变跨径等截面箱形板拱桥拱圈施工技术研究及质量控制——北京市梅市口路新建永定河大桥工程

阐述了一种箱型板拱桥模架的新型施工工艺及施工过程,重点介绍了箱型板拱桥模板主龙骨微弯双钢管、倾斜混凝土上表面压模设计、箱型拱圈混凝土浇筑施工、配重混凝土、拱圈线形控制与研究等关键技术。     

蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低

采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.     

利用淀粉的酿酒酵母基因工程菌研究进展

酿酒酵母是发酵工业的重要微生物，主要用于酒精、啤酒和面包工业。在酿酒酵母中已表达的淀粉酶基因包括α-淀粉酶基因和糖化酶基因。外源淀粉水解酶能在酵母中高效表达并分泌，其主要因素在于：在构建载体时组入强启动子；酿酒酵母中带有合适的酵母受体系统；具有外源淀粉酶蛋白的分泌信号；外源淀粉酶基因的遗传稳定性和生长介质。构建分解淀粉酿酒酵母已取得相当大的进展，但在构建的多数菌株利用糊精及淀粉的能力仍然有限，而且降解速率较慢。构建直接分解和利用淀粉的酵母工程菌，可简化工艺、节省能源和酶制剂、降低成本，有重要的应用前景。(孙悟)     

掺加钢渣微细粉配制高强度混凝土研究

用粉磨至不同比表面积的钢渣微细粉取代部分水泥进行了C60混凝土的强度及坍落度试验,考察了钢渣微细粉的比表面积及掺入量、水胶比和减水剂掺入量对混凝土性能的影响.试验表明,钢渣微细粉的比表面积为486m2/kg、掺入量为15%～20%时,混凝土具有较高的3d和28d抗压强度.     

246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制

设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm.材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%.零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7nA,峰值...     

MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.