浅析现代企业如何加强经济合同管理

经济合同是现代企业生产经营活动必不可少的重要法律文书,如何有效管理经济合同成为衡量现代企业管理成败的标准之一。对合同实施全方位和全过程的科学化管理,有效控制企业经营风险,对推动企业提高管理水平和经济效益发挥作用重要。文章从企业经济合同管理中存在的主要问题、存在问题的原因及解决问题的对策几方面入手,探讨企业加强经济合同管理的相关问题。     

改性壳聚糖保鲜涂膜透水率的研究

利用纳米SiOx对壳聚糖涂膜进行改性,采用三因素二次旋转组合正交设计研究了壳聚糖、纳米SiOx和单甘酯等因素对壳聚糖保鲜膜透水率的影响,得到相应单指标二次回归模型。结果表明：当壳聚糖用量1.547 g、SiOx用量0.028 g、单甘酯用量0.015 g时,具有较低的透水率,膜的综合性能最好,室温下果蔬保鲜时间明显延长。     

GaN生长速率的研究

采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.     

MOCVD系统中AlN生长速率的研究

文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制。我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3 流量、TMAl流量等生长参数的关系。实验发现,AlN生长速率与生长温度、反应室压力、NH3 流量等参数之间表现出反常的依赖关系。我们认为,MOCVD系统中存在Al原子的寄生反应,导致了反常现象的发生。AlN生长速率与TMAl流量的关系进一步证明了这一点。实验结果表明,较低的生长温度、较小的反应室压力能够有效地提高AlN生长速率,同时也将有利于提高Al2GaN材料中的Al组分。     

黑龙江建材行业循环经济推进会研讨会举行

本刊讯 1月10日,黑龙江省经济委员会和黑龙江省建材行业协会在哈尔滨召开了"黑龙江省建材行业发展循环经济推进会暨研讨会".全国政协人口环境资源委员会副主任、中国建材联合会会长张人为,中国建材联合会秘书长孙铁石,中国建材规划研究院院长刘长发,国建联信认证中心董事长张东壮出席会议.     

GaN基激光器的特性

GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面.激光器的测量证实了腔面的改善可以降低阈值电流,增加斜率效率.利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响.计算结果说明,增加脊形高度可以增加限制因子,降低远场纵横比.通过测量具有不同脊形高度的器件,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、远场纵横比减小.     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭。实验发现非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者的却有明显减小;稍后再次加淬灭光前者的持续光电导无变化,而后者的有明显增加。我们认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭;认为掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位。     

高档普采工作面的矿压观测

一、概况自家庄矿2~#井22410工作面位于710大巷东北面约100m处,其右侧为已采工作面,左侧是未采区,距地表深为244～250m。所开采的2~#(9尺)煤层呈单斜构造,平均厚度2.43m,倾角13°～15°。煤层自顶板往下0.8m处有一层夹石,厚度为0.05～0.15m,煤层底板无底鼓现象,见图1。     

Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为

在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞.     

立方相AlxGa1-xN/GaAs(100)的MOCVD外延生长

利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响.发现相对高的NH3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量.