TEM观察砷化镓晶片损伤层

用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。     

Observation of Damage Layer on Surface of GaAs Wafer by TEM

用透射电镜、 扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。 结果切片损伤层深度≤50 μm、 双面研磨损伤层深度≤15 μm、 机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm。 分析了损伤结构及其引入的因素。