短中波红外长线阵拼接集成滤光片技术研究

空间光谱成像技术的发展使得探测器阵列与分光元件的集成成为一种趋势,长线阵拼接集成滤光片是空间多光谱成像仪实现焦平面集成分光的关键器件,在我国空间多光谱成像光学系统中需求明显。设计了4通道短中波红外长线阵拼接集成滤光片,采用离子束辅助轰击的电子枪蒸发方法制备了各通道窄带滤光片,利用专门研制的工装探索了拼接工艺,研制出了短中波红外长线阵拼接集成滤光片。测试结果表明:集成滤光片各通道平均透射率达到90%,最小带宽为230 nm （中心波长为4.95 μm）,光谱性能与设计结果吻合,满足性能指标要求。最小拼缝宽度仅为10 μm,拼缝不平行误差为1 μm,集成滤光片设计结构和拼接强度能够耐受抗振性试验。该集成滤光片已经在空间光学遥感仪器上成功应用。     

简易太阳能热水器效率分析

探讨了太阳辐射、红外发射规律及“温室效应”成因 ,并对简易太阳热水器作了透射、传热计算 ,从光学薄膜、角系数、热损失等角度分析提效途径     

低压反应离子镀等离子源的研制

自动研制了一台用于低压反应离子镀的以硼化镧（ＬａＢ６）材料作阴极发射体的等离子源。介绍了该设备的工作原理,给出了设计参数的选择依据和具体结构形式,测量了放电电流与阴极加热功率、偏置电压、气体流量、励磁线圈电流的关系。该设备已与国产箱式真空镀膜机联调成功。     

基于改进的卷积神经网络光学薄膜缺陷识别

为对光学薄膜缺陷图像进行准确识别分类,提出一种基于改进的卷积神经网络光学薄膜缺陷图像识别方法。为突出输入图像中的缺陷信息,采用改进的LBP算法对图像进行预处理。从三个方面对传统的卷积神经网络进行改进:为了解决单通道卷积神经网络对图像特征提取不充分的问题,构建双通道卷积神经网络;改进传统的ReLU激活函数,避免模型出现欠拟合现象;使用支持向量机(SVM)代替Softmax分类器,提高计算效率和准确率。光学薄膜缺陷图像仿真识别实验表明,所提方法分类平均准确率高达93.2%,训练时间为964 s,充分验证了所提方法的鲁棒性和有效性。     

光学元件吸收测量

采用量热法测量了光学元件的吸收,分析了元件表面反射对测量的影响,并测量了GaAs基片和GaAs高反镜的吸收,分析了测量误差。     

啁啾反射镜及其在fs脉冲固体激光器中的应用

啁啾介质反射镜是近年来发展起来的新型色散补偿元件。用它取代或结合通常的“棱镜对”色散补偿装置,可以直接从激光振荡器中获得短于１０ｆｓ的光脉冲,或从脉冲和大－压缩系统中获得了短于５ｆｓ的光脉冲。本文介绍各种啁啾反射镜的原理及其在ｆｓ脉冲固体激光器中的应用。     

（英）退火温度对电子束蒸发沉积硅薄膜结构和光学性能的影响

系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜,然后在氮气保护下对薄膜样品在200~500°C范围内进行退火处理。使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征。结果显示,随着退火温度的升高,非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善,同时缺陷密度显著降低-。当样品在400°C退火后,消光系数k由6.14×10^-3下降到最小值1.02×10~3(1000 nm),这是由于此时硅薄膜缺陷密度也降到最低,约为沉积态薄膜的五分之一。试验结果表明,硅薄膜在适当的温度下退火可以有效地降低近红外区膜层的光学吸收,这对硅薄膜在光学薄膜器件研制中具有重要应用。     

光学薄膜元器件外观特性机器视觉检测系统

本系统利用工业级摄像头及开发包的机器视觉功能与计算软件编程控制技术相结合,通过与输入控制系统中的标准膜片模板外观品质进行对比,实现高速高效、准确识别检测光学薄膜器件中滤光片的外观缺陷。可在生产线上根据外观品质标准模板中设定的类别进行自动分类装盒。     

新型光学薄膜研究及发展现状

综述了近年来国内外在新型光学薄膜如高强度激光膜、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜和光通信用光学膜的制备及其在器件方面的研究和应用情况，并对光学薄膜的研究进行了展望。     

Using cavity ring-down to test laser high reflective thin film's loss

光学薄膜的损耗类型主要涉及吸收和散射,精确测定其数值是制备具有高品质和灵敏度指标激光薄膜的前提.本文以薄膜光学和激光技术为背景,介绍了谐振腔衰荡检测高反射薄膜的原理、特性以及测试方法.以1064 nm和1311 nm的高反射膜层为例,利用Losspro激光测试装置,对于二氧化锆( ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)材料获得百万分(ppm)量级精度的损耗数据后,针对不同薄膜材料和工艺方法进行了对比检测,分析认为速率控制和离子束能量对于相同材料的激光高反射薄膜具有明显的影响,进而为薄膜样品的制备奠定了技术基础.