电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔

用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔     

Fabrication of Alq3／PBD OMQW Structures and Its Photoluminescence Characteristics

Organic multiple quantum well(OMQW)structures consisting of alternating layers of tris(8-quinolinolato)aluminum(Ⅲ）（Alq3)an 2-(4-biphenylyl)-5-(4-ter-butylphenyl)-(1,3,3-oxadiazole)(PBD)have been fabricated by organic molecular beam deposition(OMBD).The individual layer thickness in the multilayer samples was varied from 6 nm tp 20nm.The multiple quantum well structures were determined by low angle X-ray diffraction,optical absorption and photoluminescence(PL).The PL spectra narrow and the emission energy has been observed to shift to higher energy compared with that in the monolayer structure,suggesting a quantum size effect.     

InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

研究表明，In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0．7eV改变到3．4eV，使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系．研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子（2MeV）照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和CaInP有更高的电阻，因此，给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力．实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征，该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释．该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述．     

光致各向异性材料中偏振全息图的分析

本文以圆基矢量为基础,分析了参、物光为任意椭圆偏振光的情况下,全息图的结构。     

稀土Er掺杂Ⅲ—Ⅴ半导体发光材料的制作

本文报道采用离子注入法在Ⅲ－Ⅴ半导体中掺Ｅｒ，用优良退火技术可得到效果较好的光致发光材料。     

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。     

长余辉光致发光塑料发光性能的研究

<正> 发光材料的研究与应用由来已久,早在30年代斯开尼(A.G.Schening)就研究了以硫化锌、硫化镉为基质,银和锰离子为激发剂的发光物质,并被收录于法国专利。70年代以来发光材料的研究和应用已十分广泛,但主要应用还局限于电子和国防工业,如荧光灯、电视、示波器、雷达显示屏、仪表显示等。     

应用材料公司推出先进全自动硅片检测系统

正日期在上海召开的SNEC第八届国际太阳能产业及光伏工程(上海)展览会暨论坛上,应用材料公司宣布推出具备全新功能的AppliedVericellTM太阳能硅片检测系统,以减少厂商生产成本并提高高效太阳能电池生产的总体平均良率。这些新功能包括:100%在线硅片检测,以解决人工检查的质量局限;以及通过光致发光(PL)技术自动预测硅片电池转换效率的能力,     

单一基质白光荧光粉Ba3Y1－x(PO4)3:xDy3+的合成及其发光特性

采用高温固相法,合成了Ba3Y1-x(PO4)3:xDy3+荧光粉。X射线衍射(XRD)图谱表明,合成物质为纯相Ba3Y(PO4)3晶体。激发谱和发射谱表明,样品的主发射峰位于486nm(4F9/2→6H15/2)和575nm(4F9/2→6H13/2),为典型的Dy3+特征发射,对应于样品的蓝光和黄光发射,其中以348nm激发时得到的峰值最强。样品的主激发峰有8个,均为Dy3+吸收,分别位于292nm(6H15/2→4D7/2),322nm(6H15/2→6P3/2),348nm(6H15/2→6P7/2),362nm(6H15/2→6P5/2),385nm(6H15/2→4M21/2),424nm(6H15/2→4G11/2),452nm(6H15/2→4I15/2)和473nm(6H15/2→4F9/2)处。研究了Dy3+掺杂浓度对发光性能的影响,在掺杂浓度x=0.08时,出现了浓度猝灭,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用;不同Dy3+掺杂浓度荧光粉发射光的色坐标均在白光区域中。同时,研究了敏化剂Ce3+对Ba3Y(PO4)3:Dy3+材料发光强度的影响。