可溶性聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔的制备及性能

通过双醚化反应、氯甲基化反应和强碱诱导的脱氯化氢反应,制备出可溶性聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔(PMOCOPV)。利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、核磁共振谱(1H-NMR)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和凝胶渗透色谱(GPC)对PMOCOPV的结构进行表征。研究表明,PMOCOPV在三氯甲烷中具有良好的溶解性,利于成膜。热性能研究表明其热稳定性良好,起始分解温度约为200℃。荧光光谱研究表明,PMOCOPV具有优良的光致发光性能,其最大发射波长为641 nm,荧光寿命为7.5×10-10s。     

熔盐电解合成碳化硅纳米颗粒及其光致发光特性（英文）

提出一种一步熔盐电化学方法,以超细二氧化硅和碳粉混合物为原料合成碳化硅纳米颗粒。通过X射线衍射、电子显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱等系统研究电解合成过程及产物的物化特性。提出二氧化硅/碳粉在氯化钙熔盐中电解合成纳米碳化硅时存在化学/电化学复合、电化学脱氧和原位碳化的耦合反应机理。结果表明,所制备的碳化硅纳米颗粒的粒径集中分布在8～14 nm,并具有多晶结构。此外,由于协同的尺寸效应和微观结构特征,碳化硅纳米颗粒具有明显的光致发光特性。     

ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究

利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试.针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值.     

Mn、Co掺杂ZnO薄膜结构及发光特性研究

利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了ZnO、Zn0.8Mn0.2O、Zn0.8Co0.2O薄膜.薄膜的晶体结构和表面形貌采用X射线衍射仪和原子力显微镜测试.表明薄膜具有明显的c轴择优生长取向,薄膜表面较为平整,颗粒尺寸在纳米量级,薄膜中晶粒的生长模式为"柱状"模式.此外,Mn、Co掺入后,薄膜的X射线衍射峰有小角度偏移,这与 Mn2 、Co2 离子半径有关.PL谱显示Mn、Co掺杂ZnO薄膜的蓝、绿发光峰的位置相对纯的ZnO薄膜没有改变,还出现了紫外发光峰,其中Mn掺杂的蓝、绿光峰的强度减弱,Co掺杂的蓝光峰强度减弱,绿光峰强度增强.这是因为Mn、Co掺入改变了ZnO本征缺陷的浓度,发光峰的强度也随之而改变.     

氧化锌纳米棒有序阵列的制备及表征

氧化锌是一种重要的化合物半导体,其低维结构在微电子器件领域具有潜在的应用前景.在温和的条件下利用软化学方法在沉积了单层ZnO颗粒膜的玻璃衬底上制备了直径为70～300nm,长约1μm的氧化锌纳米棒有序阵列,讨论了颗粒膜对阵列生长的作用以及水浴温度对晶体结构和形貌的影响.结果表明,产物为纤锌矿结构;ZnO颗粒膜为阵列的生长提供了分布均匀且固定的形核中心,对阵列的有序生长起诱导作用;随着反应温度的升高,阵列直径变小且排列更加有序,但过高的温度会抑制ZnO晶体内部的c轴择优取向作用.研究了ZnO阵列的光致发光特性,初步讨论了其发光机理.     

新型含长链β-二酮环状金属铂配合物的光致发光和电致发光研究

测定了新型含长链β-二酮环状金属铂配合物YDETPt的量子效率、磷光寿命、吸收光谱和发光光谱,并研究了其光致发光和电致发光性能.结果表明,在521nm处有较强的金属配合物三重态磷光发射,是一种绿色磷光材料.配合物在主体材料中掺杂浓度为8%的器件,外量子效率最大,达到0.87%.     

Ag掺杂TiO2纳米晶粉体的制备及性能表征

以钛酸丁酯、无水乙醇、硝酸银等为原料,通过溶胶-凝胶法制备了不同Ag掺杂含量的TiO2纳米晶粉体,用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）检测分析了粉体的晶型转化、微观形貌和晶粒尺寸,用光致发光光谱（PL）表征材料的光电性能。结果表明,Ag掺杂后的TiO2纳米晶粉体的锐钛矿相比未掺杂Ag样品的含量有所增多,当Ag掺杂量为1%和3%时,锐钛矿的相对含量约为65%;随着Ag掺杂量的增加,锐钛矿晶粒尺寸逐渐减小;由TEM图像可知,Ag颗粒较为均匀地弥散在TiO2纳米晶粉体中;由PL荧光检测结果可知,Ag掺杂TiO2纳米晶粉体的荧光强度比未掺杂的TiO2纳米晶粉体的低。试验结果表明,Ag颗粒较为均匀地弥散在TiO2纳米晶粉体中,有利于在锐钛矿界（表）面形成Ti-O-Ag的键合,有效阻止锐钛矿向金红石的转变,同时抑制锐钛矿TiO2纳米晶粒的增长,Ag颗粒与TiO2纳米晶粉体接触形成肖特基势垒,加速光生电子由TiO2向Ag颗粒传输,减小光生电子与空穴的复合几率,从而提高TiO2纳米晶粉体的光电性能。     

线形结构的ZnO生长与光致发光特性研究

采用模板生长法在Si衬底上制备了具有线形结构的ZnO。样品的晶体结构、形貌及光致发光性使用XRD、AFM、SEM及PL谱进行表征。结果表明所制备的线形ZnO为六方纤锌矿型晶体结构，线宽度大约为1μm，长度约10-30μm，具有良好的发光特性。我们对这种线形结构的形成作了推测。     

Structure and Optical Behavior of Nanocomposite Hybrid Films of Well Monodispersed ZnO Nanoparticles into Poly （vinylpyrrolidone）

We fabricated an inorganic-polymeric photoluminescent thin film based on ZnO nanoparticles, which were grown directly in the poly（vinylpyrrolidone） （PVP） matrix. The microstructure, composition, thermal stability, and the temperature-dependent photoluminescence of the thin film were investigated. X-ray diffraction （XRD） and transmission electron microscopy （TEM） results indicated that all the ZnO nanoparticles with a polycrys talline hexagonal wurzite structure were well separated from each other and were dispersed in the polymeric matrix homogeneously and randomly. Raman spectrum （Raman） showed a typical resonant multi-phonon process within the hybrid thin film. The shifts of infrared bands for PVP in the hybrid film should be attributed to strong coulombic interaction between ZnO and polymeric matrix. The stability of the hybrid film and the effect of the perturbation of ZnO on the stability were determined by means of the thermogravimetric analysis （TG） and differential thermal analysis （DTA）. The ultraviolet-visible adsorption （UV-vis） showed distinct excitonic features. The photoluminescent spectrum （PL） of the ZnO nanoparticles modified by PVP molecules showed markedly enhanced ultraviolet emission and significantly reduced green emission, which was due to the Perfect surface passivation of ZnO nanoparticles. Temperature dependent photoluminescent spectrum studies suggested that the ultraviolet emission was associated with bound exciton recombination.     

ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能

以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27～3.52eV。