聚合物相变储能材料的合成及应用研究进展

相变储能技术在节能、环保方面有着巨大的市场潜力和广阔的应用前景,因此越来越受到人们的重视。本文着重介绍了聚合物相变储能材料的合成方法,并综述了聚合物相变储能材料在建筑、电力、太阳能利用等方面的应用研究进展。     

中子屏蔽测试系统中子响应影响因素仿真分析

目前屏蔽材料的中子屏蔽性能测试还没有统一的标准,为了研究中子屏蔽测试系统中子响应可靠性和稳定性的影响因素,采用超级蒙特卡罗SuperMC程序模拟中子屏蔽测试系统建模,对探测器远近位置、探测器偏离位置、辐射源偏离位置及测试样品规格等影响因素进行了仿真分析,结合中子探测仪器的中子响应曲线对中子通量、平均能量及中子能谱等仿真数据进行比较和分析,提供了较为合理可靠的测试参数,为减少屏蔽测试系统测试误差提供理论依据。     

聚氨酯水声材料吸声结构的优化研究

比较了水声无源材料的典型吸声结构,介绍了一种泡沫塑料穿孔板材及其制备方法,研讨了用这种聚氨酯泡沫穿孔板材为芯层制备的夹层吸声结构在未来水下吸声结构的应用前景。     

离子液体聚合物的合成及应用研究进展

离子液体聚合物是一种新型的聚合物材料,近些年来取得了迅速发展。本文主要介绍了离子液体聚合物的合成方法,并综述了离子液体聚合物在聚电解质、吸附及分离材料、催化剂等方面的应用研究进展。     

河北平原深部地层的中子注量率、~(36)Cl/Cl地球长期平衡值及地下水年龄的研究

为研究河北平原深部地层的中子注量率和3 6 Cl/Cl地球长期平衡值 ,应用中子活化分析技术测量了岩石样品的元素含量数据。根据这些数据 ,计算了河北平原第四系深部地层的中子注量率平均值为 2 .79× 10 - 5cm- 2 s- 1,3 6 Cl/Cl地球长期平衡值平均为 1.2 7× 10 - 14 。为研究河北平原深部地层地下水的年龄 ,应用加速器质谱法测量得到保定地区第四系第二、三含水组混合开采井及第四含水组钻孔地下水的3 6 Cl/Cl值分别为 2 4 7× 10 - 15和 2 2 4× 10 - 15,皆为新水 ;沧州地区第三含水组钻孔地下水的3 6 Cl/Cl值为 4 0 .5× 10 - 15,依据其计算的地下水年龄为 2 3万年左右。     

纳米碳材料及其聚合物复合材料的辐射加工研究进展

本文介绍了纳米碳材料的辐射效应,综述了纳米碳材料辐射改性的研究进展,并对纳米碳材料／聚合物复合材料的辐射法制备也进行了评述。     

不同（品）种及产地的百合鳞茎营养成分分析

本研究以20份不同（品）种、不同产地的百合鳞茎为材料,采用聚类分析及主成分分析方法对47种营养成分进行检测分析。结果表明,不同（品）种的百合营养成分种类基本相同,含量具有明显差异,百合样品的淀粉、果胶、蛋白质、氨基酸、钾和锌等矿质元素含量较高,其余营养成分含量较低,具有高蛋白、富含果胶、富钾、富锌、低钠和低脂的特点。‘穿梭’的总游离氨基酸（4.96 g/100 g）和总矿质元素（952.98 mg/100 g）含量最高,漫水河卷丹的总脂肪酸（215.72 mg/100 g）、蛋白质（5.36 g/100 g）和脂肪（836.37 mg/100 g）含量最高,宝兴百合的总维生素（26.91 mg/100 g）和粗纤维（1.19 g/100 g）的含量最高,‘索邦’的淀粉（22.89 g/100 g）及‘木门’的果胶（431.41 mg/100 g）含量最高。聚类分析将三个产地的卷丹聚为一类,总游离氨基酸、脂溶性维生素、蛋白质、单不饱和脂肪酸含量在卷丹中较突出,具有较高的食用和药用价值。主成分分析结果显示,百合样品中‘穿梭’的鳞茎在多个营养指标上表现突出,适宜作为观赏、食用兼用的百合进行开发。本研究为开发食用兼观赏的百合提供了参考。     

均苯四甲酸二酐固化环氧树脂的工艺及热性能

将均苯四甲酸二酐与环氧树脂溶于丙酮中,在一定的温度条件下反应,制备了均一的、有一定固化程度的环氧树脂溶液,该溶液可在常温固化。傅里叶变换红外光谱分析表明,所得产物与预期结构相同,最佳反应时间为6 h。采用差示扫描量热法研究其固化工艺,不同升温速率下,体系的固化温度不同,随升温速率增加,固化温度提升,通过动力学计算得到其固化工艺为100℃固化2 h,150℃固化2 h,后处理180℃固化2 h,按此工艺固化的环氧树脂的耐热性能优于常温固化,起始分解温度达到368℃。     

环境X-γ辐射剂量率监测不确定度评定

FH40G+FHZ672E-10型便携式X-γ剂量率仪广泛用于环境辐射X-γ空气吸收剂量率的测量,为了数据的可靠性都需要扣除宇宙射线。本文通过分析环境X-γ辐射剂量率监测过程中的影响因素和计算公式中的有关参数,总结不确定度来源并进行评定,计算出不确定度。     

SIMOX薄膜材料的红外光谱特性和薄膜厚度的非破坏性测量方法

报道了SOI材料薄膜厚度的非破坏性快速测量方法,详细地研究了SIMOx材料的红外吸收光谱特性,求出了特征峰对应的吸收系数.提出利用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层厚度的非破坏性方法,并根据离子注入原理计算出表面硅层的厚度.SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度是SOI电路设计时最重要的两个参数,提供的非破坏性测量方法,测量误差小于5％.在SIMOX材料开发利用、批量生产中,用此方法可及时方便地检测SIMOX薄膜的表层硅和绝缘埋层的厚度,随时调整注入能量和剂量.