基于~(133)Ba估算碘盒中~(131)I探测效率方法研究

基于~(133)Ba与~(131)I具有能量特性相近的γ射线、半衰期较长的特点,探索一种~(133)Ba代替~(131)I通过实验估算碘盒中~(131)I探测效率的简易方法。依据某碘检测仪取样和探测装置进行了实验和探测效率估算,同时在近似实验条件下利用超级蒙特卡罗核模拟软件系统(Super Monte Carlo Program for Nuclear and Radiation Simulation,SuperMC)程序进行了模拟计算,计算的探测效率对于蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)模拟结果与实验估算结果在6.0%以内相符,说明这种简易实验方法可以用来估算碘盒中~(131)I探测效率。     

PVDF中空纤维膜辐射接枝和交联及其对力学性能的影响

采用Co^60辐射引发丙烯酸接枝和PVDF中空纤维膜自交联,用IR谱图证实了丙烯酸接枝到中空纤维膜上.由SEM显示,低辐射剂量率有利于接枝链在膜表面的均匀分布,接枝率随辐射剂量率增加而下降,随单体浓度增加先上升,单体体积分数达到20%左右后接枝率反而下降;接枝膜的拉伸断裂强度随接枝率的增加而提高,但是辐射自交联无法显著提高膜的力学性能.     

耐温屏蔽复合材料的研制及性能研究

为满足核电站、乏燃料存储设施等对防护材料的耐温性、热稳定性、耐辐照性能等要求,研制四官能环氧树脂基(AGA型)耐温屏蔽复合材料。首先对基体材料的热稳定性进行分析,由热重分析(thermogravimetric analysis, TG)曲线得到其起始分解温度为353.5 ℃,200 ℃恒温储存170 h后,基体材料失重1.22%。动态热机械性能分析(dynamic thermomechanical analysis,DMA)表明,随着钨(W)含量的增加,AGA型耐温屏蔽复合材料的玻璃化温度向高温区移动并且峰型变宽。用⁶⁰Co放射源辐照50 kGy剂量,当AGA型耐温屏蔽复合材料的W含量10.5 wt%,B₄C含量3 wt%时,其辐照前后冲击强度均为最优。用²⁵²Cf中子源测试2 cm厚AGA型耐温屏蔽复合材料的屏蔽性能,当加入3 wt%的B₄C时,AGA-4耐温屏蔽复合材料的快中子透射率为50.00%。实验结果表明,AGA型耐温屏蔽复合材料具有一定的耐温性和耐辐照性能,并且密度较小。     

不同材料的中子透射Monte Carlo模拟计算

用Monte Carlo粒子输运计算程序(M-C程序)对入射能量从0.025 ev到20MeV的中子及入射厚度1-40cm的多种材料进行了中子透射性能计算.这些屏蔽材料有主体材料聚乙烯、水和混凝土、铁、铜,铅和聚乙烯.碳化硼复合材料,以及功能添加剂碳化硼和氧化钆.结果显示,随着材料厚度的增加,中子透射系数降低;同一种材...     

强酸性PTFE离子交换纤维催化合成乙酸正丁酯

采用共辐射法对聚四氟乙烯（PTFE）接枝苯乙烯并经磺化后制得强酸性离子交换纤维,将其作为催化剂应用于乙酸正丁酯的合成,在催化剂用量5.00%、酸醇比1：1、反应温度110℃、反应时间80 min的最佳反应条件下,乙酸正丁酯的收率为99.12%.实验发现该催化剂后处理简单,可多次重复使用,是一种稳定性高、选择性好的新型环境友好型催化剂.     

252Cf源中子辐照装置的设计及性能测试

介绍了一种具有可变准直孔低γ本底的252Cf源中子辐照装置.对其中子辐射场和中子屏蔽性能的测试结果表明,该辐照装置能够形成稳定的中子场,屏蔽体对252Cf中子源有很好的屏蔽性能.     

中子屏蔽测试系统中子响应影响因素仿真分析

目前屏蔽材料的中子屏蔽性能测试还没有统一的标准,为了研究中子屏蔽测试系统中子响应可靠性和稳定性的影响因素,采用超级蒙特卡罗SuperMC程序模拟中子屏蔽测试系统建模,对探测器远近位置、探测器偏离位置、辐射源偏离位置及测试样品规格等影响因素进行了仿真分析,结合中子探测仪器的中子响应曲线对中子通量、平均能量及中子能谱等仿真数据进行比较和分析,提供了较为合理可靠的测试参数,为减少屏蔽测试系统测试误差提供理论依据。     

均苯四甲酸二酐固化环氧树脂的工艺及热性能

将均苯四甲酸二酐与环氧树脂溶于丙酮中,在一定的温度条件下反应,制备了均一的、有一定固化程度的环氧树脂溶液,该溶液可在常温固化。傅里叶变换红外光谱分析表明,所得产物与预期结构相同,最佳反应时间为6 h。采用差示扫描量热法研究其固化工艺,不同升温速率下,体系的固化温度不同,随升温速率增加,固化温度提升,通过动力学计算得到其固化工艺为100℃固化2 h,150℃固化2 h,后处理180℃固化2 h,按此工艺固化的环氧树脂的耐热性能优于常温固化,起始分解温度达到368℃。     

基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究

为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明：相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势。作为验证,本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能,得到的结果与上述结论一致。     

中子源屏蔽体尺寸和源室结构对本底的影响

采用蒙特卡罗粒子输运计算程序(Monte Carlo N-partical transport code,MCNP),就中子源屏蔽体和中子源室结构对屏蔽体不同探测位置的中子透射和反射情况进行了计算机模拟计算.计算采用的入射粒子分别为14 MeV和5 MeV的单能中子以及252 Cf自发裂变中子.从计算结果看,屏蔽体的尺寸和结构对中子透射的影响都比较明显;源室的结构和地坑也对本底产生较大影响.通过理论计算可以了解屏蔽体结构和源室情况对测量本底的影响,可为源室设计以及中子实验研究提供重要参考.