DIV＋CSS在网页布局和样式中的应用分析

Web标准的普及日益受到业内的重视和推行。基于DIV＋CSS的网页布局技术是典型的Web标准应用模式。阐述了DIV、CSS的基本概念以及相关的布局原理,并通过“一个XHTML文档,两种页面表现效果”的具体实例论证了该技术可以实现Web标准的核心思想。     

基于肤色与改进的Adaboost的人脸检测

针对传统的Adaboost算法检测速度块,准确率低的问题,提出一种基于肤色与改进的Adaboost算法以提高人脸检测的正确率。该算法首先利用肤色特征快速排除绝大部分背景区域,然后在肤色区域中利用快速积分图提取人脸的Haar特征,接着使用阈值设定的方法对传统的Adaboost算法进行改进,并将每次检测的最优分类器级联形成最终的强分类器,通过强分类器对Haar特征判别,检测出人脸部分。实验证明该算法有效的提高了人脸检测的准确率。     

基于simulink的机械控制系统的仿真设计

为了直观地表示机械控制系统抽象的运动过程,基于Matlab软件的simulink模块,以弹簧振子阻尼振动的阶跃响应为例,以二阶系统在不同阻尼比ζ下的单位阶跃响应为物理模型,对于机械控制系统以动画形式演示了其运动轨迹。结果显示动画描述的运动轨迹与simulink仿真结果以及实际运动轨迹相符合,具有良好的一致性。该设计对其他机械系统的仿真也有一定的参考价值。     

脚踏实地未雨绸缪

编者按:20年前,在广东神山镇一个贫穷的村庄,有个大学毕业的青年教师开了一个打铁铺……;1983年他集资承包了农机修理站,建起石龙五金厂……;1988年进入电力行业,建立起广州白云电器设备厂.20年后的今天,昔日的打铁铺发展成了高新技术企业,2001年被国家科学技术部授予"国家863计划CIMS应用示范企业”,形成了具有现代化管理水平和现代化管理设备的集团--白云电气集团.这位勤奋和智慧的青年教师--胡明聪先生也成了集团的董事总经理,广东省青年乡镇企业家协会会长,荣获广东省首届十大明星青年乡镇企业家、广州市第四届十大杰出青年等荣誉.在和胡总的交谈中,我问到企业在发展的历程中是否有传奇的故事,胡总告诉我说"没有,做企业要专注,不能有失误”简单的一句话,让我感悟到成功诚然可贵,但如何才能守住成功,避免失败,才是企业家最可贵的素质,是评判一个企业家真正成熟的标志.     

从监管制度基本原则分析我国认证认可监管体系的改进方向

监督管理作为一种重要制度,起源英国。1844年通过的英国铁路监管法（The Regulation of Railways Act of1844）,被公认为是现代监管制度的雏形。监管制度分为经济性监管和社会性监管两类。社会性监管制度在1887年至1917年的美国“进步党年代”,由于司法制度失灵导致监管型政府而产生,至今有了百余年的历史。虽然监管发展史上理论学派丛生,各种监管模型互有所长,     

基于决策树的网络通信机制研究

采用Spring、Hibernate、webwork做统一的底层技术框架实现,提供统一的对象持久化处理,通过简单配置就可以实现对象的增、删、修改与分页查询操作,并提供一致的缓存实现、Jndi数据源、web服务支持与事务配置方式。决策树通信机制界面库建立在Ext2．0Widget库上的,通过模板引擎对Ext进行了Tag封装。     

部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻实验设计

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。     

热电偶安装孔不移位的技术措施

阐述与仪表热电偶相关联的安装注意事项以及如何解决问题的方法.     

抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。     

一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法

从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。