氧桥多呋咱类化合物爆轰性能预估

采用B3LYP/6-31G方法对二硝基链式氧桥多呋咱(C2nN2n 2O2n 3)(n=2～7)体系及环式氧桥多呋咱(C2nN2nO2n)(n=2～4,6)体系进行了结构全优化,得到其稳定的几何构型;采用Monte-Carlo方法预估了密度;设计等键等电子反应计算了生成焓;运用Kamlet公式预测了爆速、爆压和爆热.分析了两种体系中n的变化对其爆轰性能的影响规律.结果表明：(1)二硝基链式或环式氧桥多呋咱结构中,随着重复单元呋咱环数量的增加,化合物爆轰性能参数(爆速、爆压和爆热等)呈现减少的趋势;(2)当n相同时,环式氧桥多呋咱比链式氧桥多呋咱更稳定.因此,对于该类化合物应选择爆轰性能好的4,4′-二硝基双呋咱醚(n=2,链式)及1,4-二氧［2,3;5,6］二并呋咱环己烷(n=2,环式)进行合成.     

高能量密度化合物TNBIW性能的理论计算

设计了一种新型高能量密度化合物2,6,8,12-四硝基-4,10-二(硝基氧化偶氮基)-2,4,6,8,10,12-六氮杂异伍兹烷(TNBIW)。采用B3LYP法在6-31G**基组水平上对其结构进行了优化,得到其稳定的几何构型,在振动分析的基础上求得体系的振动频率和IR谱。采用Monte-Carlo法、Politzer推导的公式、Kamlet-Jacobs公式和VLW方程估算了密度、生成焓及爆轰性能。利用逆合成分析法设计了合成路线。结果表明,TNBIW笼形环与CL-20笼形环结构相似,但由于笼形结构更加扭曲,其结构稳定性较CL-20有所降低;键离解能(BDE)为124.71kJ/mol,稳定性良好;预估密度2.025g/cm3,爆轰性能优于HMX,与CL-20相当,是一种爆炸性能良好的潜在含能化合物。     

三种稠环硝胺化合物的爆炸性能估算及其硝化母体化合物的合成

以乙二醛、硝基胍为原料,经两步环化反应合成了含能稠环化合物6-硝亚氨基咪唑烷并[4,5-e]呋咱并[3,4-b]哌嗪(化合物4),并优化了其合成条件,总收率52.2%(文献值29.4%)。以乙二醛、尿素为原料,经两步环化反应合成了稠环化合物5-硝亚氨基咪唑烷并[4,5-d]咪唑烷酮(化合物5)。以乙二醛和1,1-二氨基-2,2-二硝基乙烯(FOX-7)为原料,通过两步环化反应得到了一种新型含能稠环化合物6-偕二硝基乙烯基咪唑烷并[4,5-e]呋咱并[3,4-b]哌嗪化合物(化合物6)。用IR、NMR、MS和元素分析对3种稠环和中间体的结构进行了表征。基于化合物4、5、6设计了3种新型稠环硝胺化合物的结构。用Gaussian 98程序和VLW方程计算了3种稠环的理化性能和爆轰性能。结果表明,3种稠环硝胺化合物的计算密度分别为2.03、2.08、2.07g/cm3,理论爆速分别为9 928、9 672、10 109m/s。     

不对称硝基呋咱苦基醚的合成（英）

Hydroxyfurazan is a useful building block in the synthesis of oxyfurazanyl modified energetic materials.Some of symmetrical and unsymmetrical difurazanyl ether derivatives were synthesized by SN2 reaction in which nitro group was as a leaving group.     

固相萃取高效液相色谱/串联质谱优化测定水中EF2

不少研究表明,17α-乙炔基雌二醇(EE2)是雌情活力最强的类固醇雌激素.通过响应曲面法(RSM)优化EE2的高效液相色谱/串联质谱联用(HPLC/MS/MS)检测中的多离子检测反应(MRM)条件,获得EE2的最优碎片电压为182.0 V,最优碰撞能为54.0 V.配合固相萃取(SPE)预处理技术,采用HPLC/MS/MS内标检测法检测了重庆主城区嘉陵江表面水与污水水样中的EE2浓度,方法检测限为0.1 ng/L;线性范围为0.51～99.37 ng/mL;精密度试验中RSD为0.276%;重复性试验中RSD为8.788%;加标回收试验结果良好;单个混合样品分析周期为28.0min.     

980nm半导体激光器远场特性的优化

制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展.但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ//形成多瓣.研究发现这与光刻工艺有着重要关系,并利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了此现象,改善了远场特性.     

Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律

为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小，对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究．首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律，并在此基础上进一步分析推导，加以适当的简化，提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型，用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合．同时，实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象．运用这些规律，将氧化长度的精度控制在0.5μm内，基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性．     

金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法

外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法。据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm。结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据。     

3-4-双(3'-硝基苯-1'-基)氧化呋咱的热分解机理及量子化学研究

采用Gaussian 98中的DFT-B3LYP方法在6-31 G(d,p)基组水平下对3,4-双(3'-硝基苯-1'-基)氧化呋咱进行结构全优化及Wiberg键级计算,并采用TG-DSC-FITR-MS分析方法对其热分解机理进行研究.在优化的几何构型中,氧化呋咱环的六个原子为共平面结构,其中 O-N 配位键与双键相似...     

低电阻P-DBR结构的模拟分析

设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响.利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合.