基于丙二腈的含能化合物的合成研究进展

丙二腈是一种重要的有机合成原料。介绍了丙二腈分子中亚甲基和氰基的反应特性。利用氰基的反应活性可以构建氮杂环母体骨架,可进一步赋予能量,设计并合成多种性能优异的含能化合物。丙二腈作为原料可以合成3, 4-二(3’-硝基呋咱-4’-基)氧化呋咱(DNTF)和1, 1’-二羟基-5, 5’-联四唑二羟胺盐(HATO)等新型含能材料。系统综述了构建呋咱、四唑、异呋咱、偶氮桥联、醚桥联等含氮含能化合物的合成方法。同时,重点介绍了典型含能化合物的爆轰性能等物理化学性能。对基于丙二腈的含能化合物的合成思路和方法进行总结并提出建议,为未来设计、合成具有自主知识产权且性能优异的新型含能材料提供参考。     

Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AIGaAs Infrared Photodetectors

A novel asymmetrical GaAs/AlGaAs photoconductance infrared detector based on the new idea proposed in this paper has been developed,which uses the intersubband transition within the same conduction (valence) band due to infrared radiation.The detectors with two wells or six wells grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) system are fabricated by etching a mesa size of 200μm×200μm.Evident infrared absorption on the wavelength from 5 to 10μm has been observed for two samples,so has the peak of n...     

MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态ＣＣｌ４为掺杂源生长了高质量的碳掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ外延材料,研究了ＣＣｌ４流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响．采用电化学ＣＶ方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和Ｘ射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究．实验制备了空穴浓度高达１．９×１０２０ｃｍ－３的碳掺杂ＧａＡｓ外延材料和低温光致发光谱半宽小于５ｎｍ的高质量碳掺杂Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ外延层．在材料研究的基础上,我们以碳为Ｐ型掺杂剂生长了Ｇａ     

N-脒基脲二硝酰胺盐的合成与性能

以盐酸脒基脲为原料，通过水解、复分解反应，合成了N-脒基脲二硝酰胺盐（GUDN），总收率可达79％。通过元素分析、红外光谱、紫外光谱等手段鉴定了其结构；测试了GUDN的密度、摩擦感度和撞击感度，并与ADN的性能进行比较。研究表明，GUDN不吸潮，热稳定性好。感度低，相容性较好，能与RDX。HMX等火炸药常用组分相容。应用试验表明，GUDN可用于改性双基推进剂.     

不同形状台面的AlGaAs湿氮氧化规律研究

详细研究了凸形、凹形与条形台面的AlGaAs湿氮氧化规律。对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试,发现凸形、条形及凹形台面的氧化速率顺次下降,且随氧化时间的加长,差距明显增大。运用氧化动力学方法分析,是由于不同形状台面内的氧化剂浓度及氧化剂扩散速率不同引起;并推导得出台面形状、尺寸与氧化速率的对应关系。所推导的氧化规律模拟曲线与实验数据基本吻合。进一步指出当台尺寸较小时,由于氧化剂在气相传送中也受到了限制,凹形台面氧化速率的实验值与理论值会出现较大偏差。     

含能离子液体化合物AMTN的合成与性能研究

以4—氨基—1, 2, 4—三唑(ATZ)为原料,通过烷基化、离子交换合成了4—氨基—1—甲基—1, 2, 4—三唑硝酸盐(AMTN);采用红外光谱、1H—NMR(核磁共振)、13C—NMR及元素分析等对中间体及最终产物进行了结构表征;采用DSC(差示扫描量热)、TG(热重分析)跟踪,研究了AMTN的热稳定性;利用Gaussian 09程序和Kamlet—Jacobs方程,对AMTN的爆轰性能进行了计算,其密度为1.43 g/cm3,爆速为7 391.2 m/s,爆压为21.3 GPa。     

固相萃取高效液相色谱/串联质谱优化测定水中EF2

不少研究表明,17α-乙炔基雌二醇(EE2)是雌情活力最强的类固醇雌激素.通过响应曲面法(RSM)优化EE2的高效液相色谱/串联质谱联用(HPLC/MS/MS)检测中的多离子检测反应(MRM)条件,获得EE2的最优碎片电压为182.0 V,最优碰撞能为54.0 V.配合固相萃取(SPE)预处理技术,采用HPLC/MS/MS内标检测法检测了重庆主城区嘉陵江表面水与污水水样中的EE2浓度,方法检测限为0.1 ng/L;线性范围为0.51～99.37 ng/mL;精密度试验中RSD为0.276%;重复性试验中RSD为8.788%;加标回收试验结果良好;单个混合样品分析周期为28.0min.     

MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用

使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。     

隧道再生大功率半导体激光器模式特性分析

利用有效折射率法计算了隧道再生双有源区大功率半导体激光器的工作模式,并对计算得到的激射模式的近场、远场与实验结果进行比较,得到激射模式为一阶模,二者十分吻合,这有助于进一步优化设计波导结构。     

隧道再生结构的垂直腔面发射激光器激射特性研究

对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息。如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长20nm以上,阈值条件很难得到满足,器件很难实现激射。符合模拟参数生长的双有源区隧道再生VCSEL实现了室温激射。氧化孔径8.3μm器件,在11mA注入电流下,获得5mW的输出功率,斜率效率0.702mW/mA,激射波长970nm。