有效抑制IGBT模块应用中的过电压

寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰,通常抑制过电压法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率,介绍了有效抑制IGBT关断中过电压的新方法。     

雷诺尔RNB3000变频器

1．全新的空间矢量技术，优秀的矢量算法保证在最低、开关损耗前提下实现低斌大转距，高效率电网电压利用率及优化的正弦波输出，使电机工作噪音降低，发热减少。     

飞兆半导体40VP沟道MOSFET新品

飞兆半导体的40V P沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少一半。FDD4141具有低导通阻抗[RDS（ON）]，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷（QG）达50％，     

用于不问断电源的硬开关和软开关逆变器

为了不减少滤波成本，人们不断提高不间断电源中逆变器的脉冲调制频率。在这类逆变器中，有一部分固定损耗是由开关过程引起的。应用软开关技术可以显著减少这些损耗。本文将描述用于不间断电源中具有硬开关和软开关的逆变器。首先，给出逆变器的效率曲线。然后，在实际测量的基础上，分析逆变器的总损耗，开关损耗被分成开关损耗和导通损耗两部分。最后，互比两者的结果。     

飞兆半导体Field Stop Trench IGBT

飞兆半导体公司日前推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGAl5N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用FieldStop（场截止）结构和抗雪崩的Trenchgate（沟道栅）技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。     

采用新STrip FET技术的功率MOSFET

该功率MOSFET适用于DC-DC转换器。新产品采用独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3W，新产品实现了极低的品质因数。     

NP110N04PUJ，55PUJ：Power-MOSFET

NEC电子（欧洲）推出两款新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ，以扩展其低电压PowerMOSFET系列产品。新产品采用NEC电子的Super Junctionl技术，具有杰出的优值系数（FOM）。可最小化开关损耗并提高系统效率。     

在500V电压等级的AC／DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争

仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。     

寄生电感对SiC MOSFET开关损耗测量的影响

双脉冲测试是评估器件动态特性的重要手段.测试电路的寄生参数将对测试结果产生直接影响.基于双脉冲测试平台,研究并评估寄生电感对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关损耗测量的影响.首先,用低感电阻替换测试电路中的续流二极管,通过对母线电容放电状态下的电压和电流波形进行高阶多项式拟合,计算得到双脉冲测试电路主回路的寄生参数.其次,通过调整主回路跳线接口处的空心小电感感值,获得不同主回路寄生电感值的双脉冲测试电路.最后,对比分析了不同电压电流测试条件下寄生电感对开关损耗测量的影响.研究结果表明:随着主回路寄生电感的增大,在开通阶段漏源电压下降变快,开通损耗随之减小;而在关断阶段漏源电压过冲增大,关断损耗随之增大,总开关损耗几乎不变.     

开关损耗降低的MMC混合脉宽调制策略

针对大容量模块化多电平变换器(MMC)子模块(SM)数量多、开关损耗大的问题,设计了一种新颖的由基频调制(FFM)和基于多载波的正弦脉宽调制(MSPWM)复合而成的混合脉宽调制(HPWM)策略.相对于传统调制,新调制方案在减小开关损耗的同时,保持了良好的谐波特性.对于FFM导致的MMC SM直流电容电压不平衡问题,设计了对应的旋转置换和选择性SM电容电压平衡控制,以确保新型调制策略的实施效果.利用MMC样机开展实验,运行测试和频谱分析结果验证了新型MMC调制策略的有效性.