机载双基地SAR回波信号模型及其仿真

重点研究了平行飞行模式机载双基地SAR的几何模型和回波信号模型。推导了斜距历程,采用级数反演法,获得了高阶近似的回波信号二维频谱表达式,建立了回波信号模型。在上述理论研究基础上,采用二维频域快速傅氏变换法,产生仿真回波数据,获得了良好的成像结果,仿真结果验证了上述理论和仿真算法。     

宽带径向功率合成器设计

径向功率合成技术适用于对多路功率放大器进行高效的功率合成,因而近年来受到越来越多的重视。然而,由于设计和结构的复杂性,径向功率合成器目前的应用并不广泛。使用阻抗匹配的概念,提取了圆锥波导、径向线、扩展同轴结构的等效电路模型,分析了设计方法。采用此方法设计的圆锥波导和径向线合成器取得了令人满意的仿真结果。比较了三种结构的径向功率合成器的特性。     

基于积谱矩阵局部二值模式的欺骗干扰识别

针对跟踪雷达的三种常见欺骗干扰,提出了一种基于积谱矩阵( SPM)局部二值模式( LBP)的识别算法。首先,计算雷达接收信号不同脉冲重复周期( PRI )的积谱,并将其按照频域和慢时域排列成一个二维积谱矩阵。然后,将图像处理的纹理特征引入到欺骗干扰识别的算法中,采用局部二值模式提取二维积谱矩阵的灰度图像特征。最后,通过仿真实验验证了算法的正确性,当雷达接收信号的信噪比( SNR)大于5 dB时,该欺骗干扰识别算法的平均识别概率优于90%。     

单方向分离式母板互联设计技术

针对电路模块的功能扩展带来的模块对外接口不足的问题,通过对分离式母板互联技术研究,确定了结构上分离的母板互联形式,主要对单方向分离互联母板互联设计、结构设计、印制板设计、可靠性设计等设计技术展开探讨,从一个角度解决了传统母板限制电路模块功能扩展带来的互联问题,实现了电路模块功能的有效扩展。     

二次雷达数字时间灵敏度控制处理的实现

如何有效剔除二次雷达系统中存在的干扰目标,提升设备的处理能力和效率,一直是系统最关注的方向之一。区别于传统信道接收机灵敏度简单调节的方法,提出了一种基于可编程门阵列( FPGA)实时计算目标应答信号强度的方法,通过设置有效应答信号范围,在应答脉冲处理阶段剔除时间灵敏度控制( STC)门限外由多径及异步等引起的干扰脉冲,减少了后期处理的信息数据,提升了系统效率和系统的多目标处理能力。通过外场实验验证,该方法能有效减少二次雷达系统内70%的虚警目标。     

求半正定Hermitian矩阵特征向量的改进乘幂法

经典乘幂法结合压缩法是计算半正定Hermitian矩阵最大前n个特征值对应特征向量的重要方法,但其固定的迭代次数使得待分解矩阵的随机变化和初始向量的不同选择导致计算精度波动较大,同时,较大特征值对应特征向量的计算误差也会影响较小特征值对应特征向量的计算。为克服这些缺点,提出了一种将前后两次迭代所求向量的距离作为迭代终止条件的改进乘幂法,并证明了它在有误差传播时的收敛性。理论计算结果表明,对4阶半正定Hermitian随机矩阵,在相同计算精度前提下,所提方法比经典方法可至少降低一半计算复杂度。     

印度军事卫星通信系统发展概述

在未来信息化战争中,卫星通信将发挥越来越重要的作用,已成为各国竞相争夺的信息制高点。印度从本国实际需求出发,统筹规划,以研发满足国民经济需求的多用途通信卫星为突破口,迅速建成了亚太地区最大的国内通信系统之一。在简要分析印度各军种卫星通信需求和发展现状的基础上,介绍了印度的几个重点卫星通信工程项目,重点论述了"印度国家卫星"(INSAT)系列和"静地星"(GSAT)系列中在役和在研通信卫星的性能和作用,最后总结了印度研发通信卫星系统的经验,期望为相关人员提供参考与借鉴。     

侦察参数精度对机载SAR假目标干扰的影响

针对实施机载合成孔径雷达(SAR)假目标欺骗干扰所需引导参数存在测量误差的问题,首先,分析了假目标欺骗干扰调制信号模型,并给出了干扰信号所需侦察参数;然后,分析了机载平台与信号参数误差对假目标的位置、幅度及分辨率的影响,指出了假目标在SAR图像中的“折叠”现象,并分析了产生原因;最后,对参数误差的影响进行了定量仿真分析。理论分析与仿真结果表明,SAR的定位误差与假目标的成像位置偏移量大致呈线性关系。当速度误差为2%、方位向定位误差为100 m时,假目标的方位向分辨率降低约1倍。     

一种多维网格编码译码器的高效FPGA设计

为在实时通信系统中有效利用多维网格编码调制(MDTCM)的短码特性,设计了一种适合FPGA实现的高效多维网格编码译码器。在该设计中,提出了一种易于硬件实现的改进归一化译码算法,采用四级流水线和乒乓环结构,并充分利用译码算法中的固有特性,有效降低了资源消耗和译码延迟。测试表明,该设计简单可靠,性能稳定,易于移植扩展,非常适合实时通信场合的应用,目前该译码器已成功应用于某实时通信系统中。     

TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。