TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。     

LTCC在微流控系统中的应用

介绍了LTCC腔体和微流道的用途、结构形式以及腔体的制作方法。详细分析了LTCC空腔在层压和共烧时产生变形的原因。介绍了采用碳基牺牲材料以及无牺牲材料形成内埋置通道的方法。最后介绍了LTCC微流控系统在水质检测中的应用。     

在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜，再对此薄膜进行晶化处理，以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中，Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量，薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时，晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向，其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．     

平行封焊技术在微波器件封装中的应用

平行封焊技术是电子器件后道处理工艺中的关键技术。作者从工艺的角度分析了设备条件、工艺参数的选择、关键步骤的控制、焊接材料等对器件的影响。确定了一套比较合理的处理工艺流程。该技术在高频微波器件的封装中得到了良好的应用效果。     

用射频磁控溅射法在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜

使用射频磁控溅射法在非晶态的二氧化硅衬底上制备Ce1YIG磁光薄膜。生成的Ce1YIG薄膜为非晶态形式 ,经过后续的热处理过程 ,转变为晶化薄膜 ,在用波长为 6 30nm的激光测量时 ,薄膜的饱和法拉弟旋转系数θF 为 80 0°/mm。晶化薄膜具有很强的平行于膜面的磁化强度 ,用VSM测得晶化薄膜的居里温度为 2 2 0℃。实验结果表明 :所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器。同时 ,这一方法为进一步研究非互易平面光波回路打下了基础     

AlN基片的薄膜金属化

讨论了ＡｌＮ基片的薄膜金属化。通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明,ＴｉＷ－Ａｕ 是ＡｌＮ的优良金属化体系。ＡｌＮ材料经激光划片后出现导电物质, 经稀盐酸处理可去掉导电物质     

LTCC-D高密度微波集成工艺技术研究

LTCC技术作为高密度互连技术在电子产品中已得到广泛应用。而在微波高频电路中由于其印刷精度的限制一定程度上影响了电气性能。在LTCC上制作薄膜电路可以显著提高微带线精度及微波传输性能,同时提高微波产品集成密度,简化微组装工作步骤。通过工艺实验,分析和突破了LTCC-D工艺中的多项关键技术,形成了完整的工艺流程。该流程经样品和试生产验证达到了工程化应用水平。     

改进工艺提高薄膜附着力

薄膜制作技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色。附着力的强弱是影响薄膜电路质量最关键的因素。通过实验 ,查明了膜系结构、金属相间扩散、溅射金属化气氛、清洗等方面导致薄膜起层的原因 ,并选择出最佳工艺条件。     

TiW-Au金属化结构的金层剥离问题

Ti W- Au膜系结构可用于混合集成电路。Ti W与 Au的附着力对溅射气氛较敏感。采用合适的纯气 ,对气路加热抽真空 ,清洗真空腔 ,增加管路气阀等方法 ,可确保合适的溅射气氛 ,解决 Au层剥离的问题。真空腔体是否需要清洁处理 ,可用泄漏率评判     

Ta2N-TiW-Au复合导体研究

Ｔａ２Ｎ／ＴｉＷ／Ａｕ是目前国际上普遍采用的耐高温电阻／导带复合结构,对电阻温度系数（ＴＣＲ）的分析右确定溅射系统的工作点。总泄漏计算和驻贸气体分析（ＲＧＡ）可有效评价溅射气氛,提高ＴｉＷ／Ａｕ的可靠性,通过腐蚀液的比较,确定了合适的各膜层的腐蚀液。