用交流电化学腐蚀法制备隧道电流型原子力显微镜微悬臂

隧道电流型原子力显微镜是在扫描隧道显微镜基础上发展起来的一种表面分析技术。微悬臂是原子力显微镜的关键元件，它的制备与安装质量直接影响隧道电流型原子力显微镜的实验结果，本文简单介绍隧道电流型原子力显微镜微悬臂的工作原理，讨论对微悬臂的要求，提出一种简单有效的微悬臂制作方法－交流电化学腐蚀法，给出了用交流电化学腐蚀法制备的微悬臂得到的石墨标样表面原子结构图象。     

超精表面粗糙度的原子力显微镜测量

介绍了表面粗糙度的形成及原子力显微镜的工作原理，实验结果表明，采用原子力显微镜测量超精加工表面粗糙度可使测量精度达到了纳米级，通过对表面粗糙度测量结果的分析，验证了方法的可靠性。     

日本精工SAP400原子力显微镜性能的改进

日本精工公司(SEIKO)生产的原子力显微镜的功能多、性能好,国内已经有近百台的拥有量。它的信号放大、处理主要由锁相放大器完成。但其内部的锁相放大器灵敏度不够高,外加一台高性能、高灵敏度的锁相放大器,可大大提高其性能。用美国斯坦福公司产的SR830锁相放大器对本实验室的日本SEIKO公司SPA400原子力显微镜进行性能改进,可使其性能有很大提高。     

原子力显微镜在GaN研究中的应用

本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明,GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μm的GaN表面出现小坑———V缺陷,密度约为108cm-2。     

单层二硫化钼的制备及其晶界的原位光学表征

近年来,新兴的二维过渡金属硫族化合物(TMDs)材料一直是研究的热点。其中,二硫化钼(MoS2)的优异性能引起了人们的广泛关注。TMDs材料制备方法多样,然而所制备的材料都不可避免地存在着晶界缺陷。晶界的存在会对材料的性能产生很大影响,人们通过各种方法来研究它。传统的研究方法存在很多局限性如操作复杂、耗时、引入人为缺陷等。这里报道了一种通过光学显微镜直接观察MoS2晶界的方法:通过化学气相沉积法(CVD)成功制备了大面积单层MoS2,将铜沉积在MoS2的表面在光学显微镜下可以直接观察到MoS2的晶界,实现了对其晶界的原位光学显微观测。同时,借助扫描电子显微镜(SEM)等进一步证实了该方法的简便可靠性。     

两种方式瞬间切换的纳米研究显微镜

日本成功地开发出即可完成从毫米级到纳米级观察的SFr-3500纳米研究显微镜，主要用于半导体制造的异物检查、金属和绝缘体等表面测定。     

基于AFM成像的DNA长度的计算机统计处理

利用计算机图像处理技术 ,对自然沉积DNA和拉直DNA分子AFM图像的长度进行了自动统计测量 ,并与DNA分子的理论长度进行了比较。该方法在DNA分子的AFM图像的基础上 ,将DNA分子拟合成曲线 ,用插值法求得DNA分子长度 ,整个过程实现了自动化。结果表明 ,该方法测得自然沉积的某DNA分子长度为 (180 .4± 16.4 )nm ,与理论长度 185 .0nm相当符合。该方法与拉直法和直接法求DNA分子长度相比是一次改进 ,也为其它基于AFM图像的线状物体求长度提供了一种新的测量方法。对另一组拉直DNA测量的结果表明 :拉直后DNA分子长度为 (34 3.6± 2 0 .7)nm ,与理论长度 30 7.0nm相比明显变长 ,这表明对自然沉积DNA进行长度测量的必要性 ,保证了DNA分子的长度不受拉直后有所伸长的影响。     

低碳钢固态相变过程的原位观察

利用共焦激光扫描显微镜（CSLM）原位观察了低碳钢升温及降温过程中的固态相变,直接观测出升温时低温铁素体（α）到奥氏体（γ）以及奥氏体（γ）到高温铁素体（δ）的相变温度,和降温时δ到γ以及γ到α的相变温度。结果表明,随着升温速率从75℃／min升至130℃／min,α—γ相变开始温度从961．6℃升至1014．0℃、γ→δ相变开始温度从1351℃升至1386．9℃;降温时随着降温速率的增大（70℃／min增至530℃／min）,γ—α相变开始温度从871．6℃降至858．4℃。在升温速率为130℃／min的情况下,随着升温最大值的提高（1300℃至1480℃）,γ—α相变温度降低,相变开始温度从895．2℃降至858．4℃。     

退火条件对注Mn GaAs结构的影响

通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.