松辽盆地北部葡萄花油层高频层序地层特征

在松辽盆地北部葡萄花油层整体开展高精度层序地层学研究，对岩心露头观察描述的基础上，分析层序界面、湖泛面的识别特征，总结各关键界面的测井、地震、矿物学和地球化学特征，同时将具有年代地层意义的标准生物化石，应用于高精度层序地层学研究，建立松辽盆地北部姚家组一段(包括葡萄花油层和其上覆萨葡夹层)统一的等时地层格架。姚一段地层分属3个层序，每一层序发育低位、水进和高位3个体系域，揭示了储层的分布模式，即3个低位体系域和水进体系域早期是储层主要发育区，解决了以往利用测井资料进行单纯旋回对比的多种划分方案之间的争议，搞清了该划分模式与大庆油田开发系统传统油层组划分之间的对应关系，实现了信息的综合应用，对于该层位下一步勘探、开发工作具有现实意义。     

SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究

本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶热不稳定的本质进行合理解释,而且还为研制高热稳定的GaAs材料提供了科学依据.     

微重力条件下生长GaAs单晶的电学和光学性质研究

用多种实验手段分别对地面和太空生长的掺Te砷化镓单晶的电学、光学均匀性和深能级行为进行了实验研究.初步结果表明:在太空进行再生长的GaAs单晶电子浓度比原地面生长的籽晶小一个数量级,电子浓度由地面晶体到太空晶体的过渡是陡变的;DLTS测量发现太空单晶中存在两个电子陷阱,分别位于导带下0.27eV和0.60eV处,深能级密度为浅施主N_D的10~(-3)-10~(-4);少子注入未观察到空穴陷阱;用太空GaAs单晶为衬底制备的25个单异质结(SH)二极管,具有一致的I-V和发光特性,这反映了太空晶体的均匀性优于地面晶体.此外,还对太空生长GaAs单晶电子浓度降低的可能原因、深能级行为以及太空生长高质量晶体的前景作讨论.     

晶体化学中的键电荷模型及其应用前景

键电荷模型将晶体中原子的有效电荷与键长有机地联系起来，从而提供了一种揭示分子晶体结构和电子结构相关关系的方法。键电荷模型的建立被看作是当今无机固体化学的一个重大进展，它具有简洁性、可靠性和实用性的特点。对于晶体中原子的电荷分布，结构畸变的研究和键长的确定有独特之处。值得研究和发展。本文简述了这一模型的基本原理及其应用前景。同时做出了简单的评价。     

高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．     

硅中与钯相关的深能级的研究

本文采用多种硅材料,对扩Pd快速淬火在硅中引入的两个与Pd相关的新能级E_A(E_c-0.37eV)、E_B(E_c-0.59eV)进行了系统的实验研究,结果进一步支持了E_A和E_B属于同一缺陷的不同能量状态的看法,但发现缺陷的微观构成与B无直接关联,而很可能同间隙Pd与硅中本征空位缺陷形成的络合物相关.     

双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果     

高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究

利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．     

808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2.3W．