纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述,最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。     

周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜

采用周期换向脉冲电沉积法于Mo/玻璃及ITO/玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜。Mo/玻璃或ITO/玻璃为工作电极,饱和甘汞(SCE)为参比电极,大面积铂片作为阳极构成三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,制备Cu-In-Ga-Se合金预制膜,随后在硒蒸气中进行硒化处理,得到了黄铜矿结构的CuInGaSe2(CIGS)薄膜.分别用SEM,XRD和UV-吸收分析了合金预制膜和CuInGaSe2薄膜的表面形貌、相组成及紫外-可见吸收特性。结果表明,周期换向脉冲电沉积法可以制备表面平整、均匀致密的Cu-In-Ga-Se合金薄膜;利用脉冲电压的占空比可以提高预制膜中的In元素的比例,且随着In含量的增加,CIGS薄膜的结晶性变好;适当延长硒化退火的时间,可以使薄膜晶粒大小均匀,减小内应力,使薄膜的光吸收率提高,以利于制备更高效率的CIGS薄膜太阳电池.     

布袋桩施工技术在桥涵基础防腐中的应用分析

布袋桩施工技术的应用,可以有效的提高混凝土结构的耐久性和安全性。因此,布袋桩施工技术在桥涵基础防腐中得到了广泛的应用。     

多孔波导小发散角量子级联激光器

本文报道了激射波长为4.5μm带有多孔结构波导的量子级联激光器,具体器件工艺首先采用电化学腐蚀方法在脊形两侧制作出树枝状多孔结构,后续步骤在其中填充入金属材料。与普通脊形器件相比,带有多孔结构的新型器件具有更好的光束质量。此种半导体-金属混合结构对高阶模光反馈吸收作用较强,可对高阶横模产生明显的抑制作用,最终实现远场发散角达4.9°的基横模激射。     

吹氩上水口在连铸生产中的应用

唐钢第一钢轧厂1 700生产线连铸机浇注RH冶炼低碳钢时存在水口堵塞与液面波动的问题,不但影响铸坯质量,而且连浇炉数较低。通过对吹氩上水口材质及其理化指标的研究,在保证良好透气量的前提下保证了使用寿命;针对上水口不同部位夹杂物的聚集情况,确定了两种吹氩方式;通过吹氩上水口的使用,很好地缓解了液面波动,提高了连浇炉数。     

基于Fluent的锂离子动力电池箱二维热模拟

根据单体锂离子电池的生热模型估算生热率,并使用CFD软件对35 Ah动力锰酸锂强迫风冷电池箱建立二维有限元模型求解,得出温度分布结果与流场分布结果。对该电池箱内的温度进行了实验测量,对比分析了模拟和实验的结果,结果表明二维模拟结果与实验结果较为吻合,可用来初步研究电池箱内的温度分布。通过分析现有箱体内部温度分布情况,提出了电池箱散热设计的优化措施。     

利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点

在GaAs基InxGa1-xAs(x=0.15)应变层上生长了InAs量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

(接上期第21页)4.2.2量子点激光器 应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点.应用这种技术已制备出量子点激光器,波长覆盖了近红外和红光波段.1992年Ueno等人报道了单层InGaAs/A1GaAs量子点结构,实现了室温激射,阈值电流密度(Jth)为950A/cm2;1994年俄德联合小组首先研制成功InAs/GaAs量子点材料;1996年Alferov等人研制成功有源区为三层结构 (垂直耦合)的量子点激光器,Jth为680A/cm2;同年Ledentsov等人[24]又报道了10层垂直耦合InGaAs/GaAs量子点结构激光器,室温Jth为90A/cm2;1997年Ustinov等人又报道了Jth低达60A/cm2的量子点激光器,其结果已接近当前最好的量子阱激光器的性能1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W;1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面)高达3.5W.     

快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响

系统地研究了快速热退火对带有 3nm Inx Ga1 - x As(x=0 ,0 .1,0 .2 )盖层的 3nm高的 In As/ Ga As量子点发光特性的影响 .随着退火温度从 6 5 0℃上升到 85 0℃ ,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的 .但是 ,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于 In Ga As盖层的组分 .实验结果表明 In- Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用 .另外 ,我们在较高的退火温度下观测到了 In Ga As的发光峰     

储层条件下岩石电阻率测试装置的研制与试验

文章概述了高温高压下岩石电阻率测试原理、结构及性能，建立了高真空高压饱航压力驱替饱和系统，并采用先进的智能LCR测量装置，建立了饱和不同介质的岩石电阻率测试技术。大量试验表明，该装置温度、压力控制稳定，测试数据准确、可靠。