用于超外差接收机提供本振源的高功率510 GHz单片集成三倍频器

本文介绍了一种基于砷化镓材料的高功率490~530 GHz单片集成三倍频器。基于提出的对称平衡结构,该三倍频器不仅可以实现良好的振幅和相位平衡,用来实现高效的功率合成,还可以在没有任何旁路电容的情况下提供直流偏置路径以保证高效倍频效率。同时,开展容差性仿真分析二极管关键电气参数与结构参数对倍频性能的影响研究,以便最大化提升倍频性能。最终,在大约80~200 mW的输入功率驱动下,研制的510 GHz三倍频,在490~530 GHz频率范围内,输出功率为4~16 mW,其中峰值倍频效率11%。在522 GHz频点处,该三倍频在218 mW的输入功率驱动下,产生16 mW的最大输出功率。该三倍频器后期将用于1 THz的固态外超外差混频器的本振源。     

四极管等效二极管空间电荷限制流研究进展

可持续绿色能源核聚变具有清洁环保、原料储量丰富、安全可靠、不产生核废料等优点,是解决未来能源及环境问题的重要选择。然而,实现受控核聚变并非易事,托卡马克是最有希望实现可控聚变能的磁约束装置。大功率真空发射管是托卡马克装置中的一个重要器件,其电流作为发射电子管极限参量和额定功率的一个重要指标,取决于发射管本身的结构、尺寸、材料等。由于四极管的结构和工作原理十分复杂,很难直接获得发射电流随其结构参数变化的情况。可先将四极管等效成二极管结构来探寻二极管空间电荷限制流随其几何结构变化的规律,从而为等离子体加热发射管（四极管）结构设计及优化提供理论参考和有效依据。对此,本文通过查阅相关文献和书籍,对二极管空间电荷限制流方面国内外的研究状况进行总结和分析,并展望了其发展趋势。     

High power devices in wide bandgap semiconductors

Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered by both USA and Europe based companies. Active switching devices such as bipolar junction transistors (BJTs), field effect transistors (JFETs and MOSFETs) are now reaching the market. The interest is rapidly growing for these devices in high power and high temperature applications. The main advantages of wide bandgap semiconductors are their very hi...     

三相三电平PWM整流新技术

三相三电平PWM整流电源具有输出直流电压稳定、功率器件承受压力小、交流侧电流波形正弦度好和功率因数高等特点,其在中、高压交流调速、电力系统等领域的应用越来越广泛.文章从拓扑结构、数学模型和控制方法几方面介绍了三相三电平整流电源的国际国内新技术,重点讨论了三相二极管籍位三电平PWM整流电源的中点电位平衡策略.     

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的MOSFET

安森美半导体（ON Semiconductor）扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,推出带集成肖特基二极管的30V产品。     

2HL055恒流二极管参数测试

2HL055是贵州博越公司生产的恒流二极管,该类器件恒定电流大,极限电压低,可以直接驱动负载,但器件形成实验室成品后,没有进行过参数测试,其基本参数范围不能确定。文章拟通过试验,进一步测试2HL055器件的基本参数,并确定部分参数的测试方法。     

泓格发布新产品——tDS-724/734精简型设备服务器

tDS-724/734为精简型设备服务器,可当作序列设备联网的途径,将原来无法上网的RS-232/485设备链接至网络。使用者可通过VxComm Driver/Utility来设定,通过简单的几个步骤,可将tDS-724/734内嵌的     

半自动生化分析仪中生化参数检测系统的设计

为了实现生化参数的精确检测,采用分光光度法检测样品对某种单色光的吸收程度,并根据反应过程中样品吸光度的变化来计算样品中待测成分的含量,从而得出检验结果。首先,入射光由光电二极管转换成微弱电流信号;然后信号经调理放大、模数转换后,送入单片机进行处理;最后,通过网络端口将测试结果传输给上位机（PC）进行处理,由上位机显示并生成数据报表。实验表明,该系统检测结果可靠、系统结构简单、使用方便。     

基于光照强度的PIN光电二极管响应时间分析

在PIN光电二极管应用中发现,光照强度对响应速度具有很大影响.论文研究了光强对响应速度的影响,提出了内部PIN结等效电场模型,并搭建了实验电路对PIN光电二极管在不同光照强度下的响应速度进行检测,验证提出的结模型,很好的解释了光电二极管从无光照到有光照这一过程中,光强越强,响应时间越短;而当光电二极管从有光照到无光照这一过程中,光强越强,响应时间越长这一现象.提出的模型和实验验证为光电二极管在响应速度要求较高的系统中的应用提供了理论分析依据,也为进一步提高PIN光电二极管的速度提出了有益的探索.     

二极管串联双向限幅电路的实验分析

通过理论分析二极管串联双向限幅电路的限幅特点,利用实验电路测试不同输入信号下的输出的电压,并给出实验实测波形,实验结果验证了理论分析。