质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1000 MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况。随入射质子能量的增大，产生的初级离位原子（PKA）数目增加、种类增多；PKA能谱分布总体上呈递减趋势，PKA在低能量区间所占份额降低，在高能量区间所占份额升高。研究结果表明，辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律。     

用一个二极管桥和一只晶体管完成XOR/XNOR功能

在用高于常见的电源电压(如24V)设计逻辑电路时,可以结合使用标准逻辑系列与一只稳压器,通过电平转换器做接口。另外,如果逻辑并不太复杂,速度也不是非常高,可以用分立元件建立门控电路,直接用当前电压运行。分立元件的AND、OR和NOT功能都相对简单明确,但XOR和XNOR功能通常需要多个AND、OR和NOT基础功能的组合。     

Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器

VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出9款采用功率TO—220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件，丰富和扩大了TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用，电流等级从10～80A，在30A下的典型正向压降为0．65V。     

高效应用的增强型第4代CAL二极管

使用轴向寿命控制(CAl-controlled axial lifetime)技术,SEMIKRON将他的第4代续流二极管从1200V扩展到了650V和1700V电压等级。一种创新的终端结构提供了对于极端环境,如湿度影响的高稳定性。此外,这种终端结构使器件能够稳定地工作到175°C。增强型CAL4二极管还对低频及高频等级分别进行了优化,以便获得较好开关特性和较低损耗的最佳折衷。     

可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计

在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF_2、SiO_2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO_2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率R_e的影响最为显著;在350~1 800nm宽波段,当窗口层厚度为83nm,膜系厚度分别为57nm、37nm和88nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38%.     

在线研讨会——与最新的产品发展、解决方案和技术更新同步

正用于设计紧凑高可靠性的小功率电机驱动-超紧凑的7系列智能功率模块时间:2014-08-26随着技术的进一步发展,越来越多的以前采用交流电机驱动的小功率电机应用,比如小风扇以及小水泵等,为了获得更高的效率,已经是采用变颊BLDC/PMSM的目标应用。本次研讨会中介绍Fairchild的SPMf'7系列智能功率模块,     

问答选编

问：请问在较低的电压下，防接反二极管是什么二极管？压降是多少？     

轿式电梯专用按钮的设计

为了提高目前轿式电梯中按钮的可靠性,本文在对现有常规电梯按钮结构的分析基础上提出了一种专门用于轿式电梯的按钮改进装置的设计。其采用了压力传感器检测按钮是否被按下,利用光敏元件检测按钮背光灯的状态,再通过总线将信息传输给电梯控制器,从而提高按钮的可靠性,避免按钮故障情况的发生。     

DF—100A型PSM短波发射机的几种专用元件

本文叙述了PSM短波发射机的4种专用元件.     

半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

正中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。