InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析

根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构.采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算.对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益.     

隔附子饼灸红外辐射光谱及时间曲线

对传统隔附子饼灸艾炷不同燃烧时间红外辐射光谱作归一化数学分析,提取艾炷不同燃烧时间红外辐射光谱的共性,并与对照的隔黄芩饼灸红外辐射光谱比较.结果,艾炷不同燃烧时间隔附子饼灸红外辐射强度变化很大,但经归一化处理扣除温度影响后,隔附子饼灸艾炷燃烧6～21min期间的各红外辐射光谱十分相似;艾炷燃烧9～24min隔黄芩饼灸红外辐射强度明显高于隔附子饼灸(P<0.05～0.001);隔黄芩饼灸艾炷燃烧18min与隔附子饼灸艾炷燃烧12min红外辐射光谱有很大差异,前者的辐射峰强度为4.70V,后者仅为2.46V,隔黄芩饼灸辐射峰左移0.75μm.结果提示,隔黄芩饼灸不适合临床应用,不能替代传统的隔附子饼灸.     

高度择优取向(111)PbTiO3薄膜的制备及光学特性

单一取向铁电薄膜是大家长期以来研究的目标之一，文中采用组合靶射频溅射在白宝石（α-Al2O3)衬底上制备出具有较好的（111）择优取向的PbTiO3薄膜。从薄膜的光学射射谱计算所得的折射率和波长的关系能够较好地符合单振子模型，由此得出了薄膜在400－2400nm区域的折射率变化，在长波极限时薄膜的折射率为2．51。     

用室温红外透射谱研究Hg1—xCdxTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较。     

同时旋转起偏器和检偏器的红外椭圆偏振光谱仪研制

研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪，其测量波长范围为２．５～１２．５μｍ，入射角度在２０°～９０°连续可变．系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制．给出了金反射率和ＧａＡｓ体材料折射率椭偏测量，并与其它方法进行了对比，并分析了实验测量技巧和主要实验误差     

用红外光吸收法测定Hg_(1-x)Cd_xTe的组分

本文用测量本征吸收光谱的方法,确定Hg_(1-x)Cd_xTe的禁带宽度Eg值,再根据Eg与x的关系来确定x值。在Hg_(1-x)Cd_xTe的本征吸收光谱上,Eg能量值出现在陡峭的指数吸收边和平坦的本征吸收带交界区域。利用本征吸收光谱确定Eg,需要对Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品进行测量,样品厚度一般为10μm左右。我们用PE983红外分光光度计在室温下测量了七个已知组份的     

第十六届国际半导体物理会议在法国举行

第十六届国际半导体物理会议于1982年9月6日到10日在法国蒙彼利召开。这是一次规模较大的半导体物理学综合性学术会议,参加会议的有来自30多个国家和地区的850多名代表中国科学院半导体研究所黄昆、江丕桓,复旦大学钱佑华,山东大学陈有平,中国科学院上海技术物理研究所沈学础,褚君浩等同志参加了会议。会议主席为法国巴黎第六大学教授M.Balkanski。     

MOD法制备的Bi3.25Nd0.75Ti3O12薄膜的铁电各向异性行为

采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和α轴择优取向的Bi3.25Nd0.75Ti3O12(BNT)薄膜．实验发现，BNT薄膜的品型结构主要依赖于预退火条件．电学性能测试表明，α轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余极化和矫顽场，较高的介电常数和介电损耗，以及较大的电容调谐率；而c轴择优取向的则相反．BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为．     

PMNT薄膜可见-红外光学性质的研究

通过对不同组分的铌镁钛酸铅(PMNT)薄膜的紫外-可见透射光谱以及红外椭圆偏振光谱的分析,利用Tauc-Lorentz(T-L) Cauchy色散关系和经典中红外色散关系,得到了该材料在可见和中红外区的光学常数,发现在可见和中红外区,薄膜的折射率随着PT(PbTiO3)含量的增加而增大,但是薄膜的光学禁带宽度随之而减小.     

HgCdTe反型层电子子能带物理

<正> 本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、有效质量、反型层耗尽层厚度等,并推导了由于自旋轨道相互作用而引起的电致自旋分裂子能带的色散关系和朗道能级扇形图,还研究了朗道能级以及自旋能级间的光跃迁问题。