原位合成Ni／Ni—Al金属间化合物层板复合材料的组织转变

在原位合成的Ｎｉ／Ｎｉ－Ａｌ金属间化合物层板复合材料中，随着退火温度升高，层状化合物相逐渐由富Ａｌ相转变为富Ｎｉ相。在层状的化合物相生长过程中晶界扩能占主导地位。经１１５０℃Ｎｉ退火的层中，离Ｎｉ３Ａｌ层近的区域，均匀形核的析出相生长的比较粗大，在Ｎｉ层中间，细小的析出相是非均匀形核的，在连续冷却过程中，晶界析出相通过晶界面扩散而长大的 同时，也造成了成晶界面两侧出现溶质的贫乏区，从而导致无析出带     

碳酸铵盐前驱体热分解制缩取高活性YAG纳米粉体

以碳酸氢铵为沉淀剂，硝酸盐为原料，采用沉淀法，通过仔细控制沉淀过程的工艺参数，得到了煅烧后可直接生成纯相Y3Al5O12(YAG)的前驱体沉淀物。采用XRD、DTA、ICP、TEM、BET等手段表征了前驱体和产物的特征。研究结果表明，沉淀剂浓度、沉淀剂与金属离子的摩尔比和滴加速度等因素对产物性质产生显著的影响。粉体晶粒大小均-(57～63nm)、晶粒形状为椭球形，基本无团聚存在。YAG纳米粉体具有良好的烧结活性，粉体经过1700℃真空烧结6h，烧结体具有较好的透明度。     

氧化铝陶瓷材料快速成形制备工艺

采用快速成形技术中的分层实体造型工艺制备氧化铝陶瓷材料.所用原料为平均粒度2μm的氧化铝粉末,经过轧膜法制成厚度为0.7mm的片材,热分析后可以确定脱脂工艺.烧结产物为各向异性材料,测试了材料的抗弯强度和硬度,并进行了微观组织分析.     

BaTiO3颗粒对分散剂PMAA-NH4的吸附机制研究

通过ζ电位测量及PTIR分析，研究了BaTiO3颗粒对阴离子型分散剂PMAA－NH4的吸附机制。结果表明，加入PMAA－NH4后，由于BaTiO3颗粒表面上存在Ba-OH2^ 的正电荷中心，从而吸附了分散剂的阴离子，使BaTiO3表面带电特性改变，等电点由pH＝5.1移至pH=3.5，当pH=10，PMAA－NH4的加入量为0．8wt％时，BaTiO3颗粒表面吸附达到饱和，可以得到稳定性好的BaTiO3悬浮体。     

ZrB2-SiC和Csf／ZrB2-SiC超高温陶瓷基复合材料烧蚀机理的研究

通过真空热压工艺制备了ZrB2-SiC材料和Csf(碳短纤维)/ZrB2-SiC超高温陶瓷基复合材料.采用氧乙炔火焰在4186.8kW/m2的热流下分别喷吹烧蚀两种材料180s.ZrB2-SiC材料表而最高温度达到2406°C,烧蚀后质量烧蚀率为-0.14%,线烧蚀率为1×10-3mm/s,Csf/ZrB2-SiC材料表面最高温度达到1883°C,烧蚀后质量烧蚀率为-0.19%,线烧蚀率为-4×10-4mm/s.对两种材料烧蚀表面和剖面的分析发现,ZrB2-SiC材料烧蚀后由表及里依次形成了疏松ZrO2氧化层、SiC富集层和未反应层的三层结构,其中SiC富集层能够起到抗氧化的作用. Csf/ZrB2-SiC材料烧蚀后由外到内分别形成了ZrO2-SiO2氧化层、SiC耗尽层和末反应层的三层结构,其中最外层以ZrO2为骨架,SiO2弥合其中的结构有效地阻挡了烧蚀中氧的侵入.     

TiB_2-Cu复合材料SHS工艺的人工神经网络优化

利用3×5×1的3层BP神经网络模型对SHS法制备TiB_2-Cu基复合材料过程中的工艺参数进行优化。将SHS工艺的3个主要参数——延迟时间、高压压力和高温保压时间作为人工神经网络的输入,合成产物的相对密度作为网络的输出,利用单参数动态搜索算法对SHS工艺参数进行了优化。结果表明训练样本和检验样本的网络实际输出值与相应的试验值均非常接近,TiB_2-Cu基复合材料的SHS最佳工艺参数是延迟时间为6.8s,高压压力为360 MPa,高温保压时间为9.2s。     

Preparation of porous silicon carbide by combustion synthesis

Porous silicon carbide ceramics were prepared by combustion synthesis technique. SiC/TiC composite was gained by combustion reaction of Si, C and Ti. Thermodynamics analysis of Si-C-Ti system indicates that the content of TiC in products should be larger than 30%. The experimental results show that the content of Ti C should be larger than 25% to achieve a complete combustion reaction. The X-ray diffractometry results show that the final products with a relative density of 45%-64% are composed of a-SiC,β-SiC, TiC and a small quantity of Si. The images of scanning electron microscopy show that the structures of grain in SiC based porous ceramics consist of particles with a few microns in size.     

TiB2-Cu基复合材料SHS工艺的正交优化

利用SHS技术制备了性能优良的TiB2—40％Cu基复合材料。SHS工艺参数主要包括压坯相对密度、压坯轴向压力、预压力、延迟时间、高压压力、高温保压时间等，对这些参数和材料性能之间的关系进行了探讨。为了研究不同的延迟时间、高压压力和高温保压时间对材料致密度的影响，设计了一个三因素、三水平的正交试验。结果表明，TiB2—40％Cu基复合材料的SHS最佳工艺参数为压坯相对密度为59．0％，压坯轴向压力为135MPa，预压力为18MPa，延迟时间为7s，高压压力为360MPa，高温保压时间为10s。     

大尺寸碳化硅基空间反射镜制备工艺及性能

采用轻量化的硅/碳化硅复合材料制造大尺寸摆镜或高分辨率相机的主镜.该材料的组织构成是双峰分布的碳化硅晶粒和游离硅.利用碳化硅、碳注浆成型制备复杂轻量化结构的的素坯.在硅气相渗透过程中,碳与硅反应形成新的碳化硅,过量硅填充坯体孔隙.由于干燥和反应过程中收缩量小,可用来制备形状复杂且无缺陷的大尺寸样品.硅/碳化硅复合材料可用作空间光学镜面基板,利用电子束物理气相沉积,在基板上沉积硅膜,同时检测硅/碳化硅复合材料和硅膜的性能.制备了各种尺寸的空间用反射镜,直径为120 mm的六角形镜面重0.23 kg,厚度15 mm,表面抛光并镀硅膜,后开式蜂窝状结构的面密度为24.3 kg/m2,面形精度为0.1λ@632.8 nm p-v,表面粗糙度<3nm rms.利用有限元分析方法估计实际条件下的应力和变形.     

电感变化率对爆炸磁频率发生器性能的影响

基于等效电路原理,分析了电感变化率对爆炸磁频率发生器中工作电流的影响.计算表明容性负载导致电流以振荡方式存在.如果电感以比线性更快的方式减小,振荡电流的包络呈"鱼形",而且更有利于电流频率的提高.