栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异.为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中.     

第二代镍基单晶高温合金高温氧化行为及机制研究

研究了航空发动机叶片用DD6单晶高温合金980℃高温氧化行为及机制。采用体视显微镜、光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)表征了表面氧化皮的形貌和截面微观组织特征，采用能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)分别分析了氧化物的成分和物相结构，采用显微硬度计测量了高温氧化样品截面表层金属显微硬度。研究结果表明：长时间氧化后，氧化皮主要由Al₂O₃和复合金属氧化物构成；长时间氧化后氧化皮与基体结合较差且局部发生剥离，表面氧化行为由均匀氧化逐渐转变为局部快速氧化；进入局部快速氧化阶段，表层金属中的铝与环境中的氧和氮反应，导致表层贫铝而形成无γ’相区，最终导致表层金属力学性能的损失，最表层金属的显微硬度较基体下降约30%。