选矿述评

经济衰退对矿业产生了巨大影响,在此期间,许多矿业公司重点致力于降低成本,特別是能源成本,而不是革新设备。与此同时,微处理机的价格迅速下降以及其可靠性不断增强,从而导致自动化在一些选矿过程中的应用日益增多。 1984年2月,在洛杉矶举行了第一届选矿和过程冶金自动控制国际讨论会。随后,在伦敦召开了第十八届矿业计算机和数学应用国际讨论会(APCOM)。自五十年代末以来,计算机被用于选矿过程。其早期应用限于过程模型化和工厂最优化。七十年代开始,计算机已广泛用于工厂控制,特别是磨矿、碎矿、重介质分选和浮选等方面。美国赫伯斯特和巴斯丘尔回顾了选矿过程控制     

光纤传感瓦斯吸收池长度对光谱吸收的影响研究

阐述了瓦斯气体吸收池设计的原则，分析了吸收池长度对传感器测量灵敏度的影响。     

基于D4S理论的竹材家具设计研究

目的探讨竹材的特性以及竹材作为可持续环保材料在家具设计中的应用。方法以D4S(Design for Sustainability)的理论为指导,通过对可持续设计的理解,分析可持续家具设计的现状和目前存在的问题,同时对竹材的特性与加工工艺方法进行初步探索。结论对以竹子为原材料的家具产品可持续设计研究提供参考意义。提出可持续的竹材家具设计策略,结合可持续的理论设计一套以"蚁族"人群为使用对象的多功能竹材家具,并以此设计为例进行论证分析。     

双检理论研究及合成处理

本文深入探讨了水、陆检波器的接收机制及波场动力学特征,认识到水层鸣震是由下行鬼波(虚反射)和上行微曲多次波组成。水检和陆检对于一次波、鬼波和微屈多次波具有不同的响应特征:对于一次波,双检的响应表现为同向;对于鬼波,双检的响应表现为反向;对于微曲多次波,双检的响应表现为同向。因此,本文通过水检和陆检同时采集的数据叠加去除鬼波;在此基础上,进一步求取海底反射系数,从而消除上行微屈多次波。本文方法在实际OBC资料处理中取得了良好应用效果。     

表面态对碳纳米管场发射的影响

采用CVD法在Ni丝上直接沉积碳纳米管,并应用二极管结构测试表面态(突出尖端和吸附)对碳纳米管场发射的影响。测试表明,突出尖端主要影响碳纳米管场发射的开启电场以及场发射电流稳定性;吸附作用的影响表现在改变碳纳米管能带结构进而改变其场发射性能。     

LT3599的LCD LED背光驱动控制电路的设计

介绍了一种液晶显示器的LED背光驱动控制设计方案,对电路的整体控制、各项功能的实现、各性能参数的详细计算方法以及电路的具体设计等一一进行了阐述,并给出了相关的控制框图和时序图,配合灵活的FPGA的软件编程以及恰当的LED灯组布局,可以实现良好的LED背光驱动控制。     

White light emission from Dy3+-doped LiLuF4 single crystal grown by Bridgman method

Lithium lutetium fluoride （LiLuF4） single crystals doped with different Dy3＋ ion concentrations were grown by Bridgman method. The Judd-Ofelt （J-O） strength parameters （Ω2, Ω4, Ω6） of Dy3＋ in LiLuF4 crystal are calculated according to the measured absorption spectra and the J-O theory, by which the asymmetry of the Dy3＋：LiLuF4 single crystal and the possibility of attaining stimulated emission from 4F9/2 level are analyzed. The capability of the Dy3＋：LiLuF4 crystal in generating white light by simultaneous blue and yellow emissions under excitation with ultra- violet light is produced. The effects of excitation wavelength and doping concentration on chromaticity coordinates and photoluminescence intensity are also investigated. Favorable CIE coordinates, x=0.319 3 and y=0.349 3, can be obtained for Dy3＋ ion in 2.701% molar doping concentration under excitation of 350 nm.