具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管

通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs 雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的增益带宽积的同时,器件暗电流低于19 nA。这项研究对雪崩光电二极管在未来高速传输的应用具有重要意义。     

自供电可穿戴碲化铋基照明电子设备

5G通讯、电子皮肤等“新基建”产业迫切需要发展可穿戴柔性热电器件，用于捕获环境微能源发电实现电子设备自供电。为提高热电器件的发电性能和柔韧性，通过焊接技术结合掩膜工艺制备了一种基于热电效应的自供电可穿戴碲化铋基照明电子设备。采用高热导率的硅胶柔性基底，将碲化铋和碲化锑热电颗粒分别焊接在铜电极上，实现整个电路的连通，获得可穿戴柔性热电器件。该热电器件在温差为11.2 K时，可输出电压为214 mV,最大输出功率可达3.64 mW,且经历1000次弯曲循环后发电信号输出稳定。将该热电器件贴在人体皮肤上并与升压芯片连用，无须散热器就能正常点亮二极管。所研制的柔性热电器件表现出较好的发电性能、较高的可靠性且具有良好的应用前景，这为自供电可穿戴电子设备的开发提供理论基础与技术支撑。     

多功能电子信息材料MoS2的制备及其催化性能研究

半导体材料作为电子信息材料的一种，因具有较宽的禁带宽度和高的载流子迁移率成为了人们关注的热点材料之一。通过水热法制备了不同质量分数Ag掺杂(0,1%,3%,5%,7%)的MoS₂复合材料，采用XRD、SEM、UV-Vis、FT-IR、Raman和催化性能分析等手段对Ag掺杂MoS₂复合材料的晶体结构、微观形貌、光谱性能和催化性能进行了测试与表征。结果表明，水热法合成了单一相的六方晶系MoS₂,Ag成功掺杂到了MoS₂中。Ag掺杂的MoS₂复合材料为纳米片堆积形成的圆球状结构，Ag掺杂增大了MoS₂纳米球的直径，尺寸在300～350 nm之间。Ag的掺杂诱导了MoS₂的晶型从2H-MoS₂相结构向1T-MoS₂相结构转变，1T-MoS₂相结构的晶型含量增加。MoS₂复合材料对于可见光和紫外光的吸收能力增强，5%(质量分数)Ag掺杂的MoS_2...     

表面活性剂对电渗析减量化工业含盐废水的影响

目前表面活性剂对电渗析系统影响的研究不够具体。本文考察了表面活性剂类型对电渗析法减量化工业含盐废水的影响。结果表明：以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)和十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC)为典型的阴离子型和阳离子型表面活性剂会对电渗析系统造成抑制效应，通过在膜表面形成污染层，导致膜电阻从4.72Ω·cm²上升至30.46Ω·cm²和15.23Ω·cm²，从而降低浓缩倍数，相比纯氯化钠体系脱盐率分别下降4.54%和4.75%，通量下降了0.19mol/(m²·h)和0.2mol/(m²·h)，经济性降低，且SDBS和DDBAC的迁移率高达58.55%和90.45%。辛烷基苯酚(OP-10)和硫代甜菜碱(SB-12)为典型的非离子型和两性型表面活性剂，对电渗析系统没有明显的影响。相比纯氯化钠体系，膜电阻、脱盐率和离子通量均保持在同一水平。本实验揭示了表面活性剂对电渗析性能的影响机制，为电渗析法应用于工业含盐废水的减量化奠定了坚实的基础。