EH4电磁成像系统的数据处理过程研究

简要介绍了EH4电磁成像系统的原理、特点。着重阐述了EH4数据处理步骤、方法和过程,并结合在菲律宾GUDALAC等锰矿实际采集的数据进行了详细说明,得出了地形修正、数据插值是可行的结论。     

Optical and electrical properties of ZrSe3 single crystals grown by chemical vapour transport technique

Single crystals of the lamellar compound, ZrSe₃, were grown by chemical vapour transport technique using iodine as a transporting agent. The grown crystals were characterized with the help of energy dispersive analysis by X-ray (EDAX), which gave confirmation about the stoichiometry. The optical band gap measurement of as grown crystals was carried out with the help of optical absorption spectra in the range 700–1450 nm. The indirect as well as direct band gap of ZrSe₃ were found to be 1.1 eV and 1.47 eV, respectively. The resistivity of the as grown crystals was measured using van der Pauw method. The Hall parameters of the grown crystals were determined at room temperature from Hall effect measurements. Electrical resistivity measurements were performed on this crystal in the temperature range 303–423 K. The crystals were found to exhibit semiconducting nature in this range. The activation energy and anisotropy measurements were carried out for this crystal. Pressure dependence of electrical resistance was studied using Bridgman opposed anvils set up up to 8 GPa. The semiconducting nature of ZrSe₃ single crystal was inferred from the graph of resistance vs pressure. The results obtained are discussed in detail.     

高电阻率收尘极板有利于收集低比电阻粉尘的理论分析

高电阻率收尘极板是指收尘极板的电阻率远远大于金属极板的极板，能很好地防止因烟气中的有腐蚀的物质而使极板受到腐蚀，在相同的条件下，从高电阻率极板上粉尘层的电荷释放方程来看，高电阻率收尘极板增加了电荷释放的时间，从而有利于收集低比电阻粉尘，试验时测得，金属板对碳黑粉尘收集效率为24．72％，高电阻率极板对碳黑粉尘收集效率为71．96％。     

低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器

通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压,8V时即产生明显的相移量,在36GHz处15V驱动电压时相移量为118°,25V时为286°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为3×10⁶次.为器件的实用化提供了重要保障.     

新型含硅全氟磺酸膜性能研究

采用纳米原位复合技术制备了Nafion/SiO~2复合膜,TG—DSC(热失重-差热)分析表明Nafion1135/SiO~2复合膜比Nafion1135膜具有较高的含水和保水能力;溶胀率测试表明Nafion1135/SiO~2复合膜能明显降低膜的溶胀形变,其形变能力只有Nafion1135膜的1/4;110℃时,Nafion1135/SiO~2复合膜的电阻率只有Nafion1135膜的1/2。     

变电所接地设计研究

章结合工程实践，提出了变电所接地网设计原则，总结了降低接地电阻的多项措施，对与接地相关的技术问题进行了讨论。     

多晶La_(0.49)Sr_(0.51)(Mn_(1-x)Nb_x)O_3的电输运特性研究

测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0 49Sr0 51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0 05,0 15和0 25)的电阻率和磁化强度的温度特性.实验结果表明,当Nb5 部分替代B位的Mn4 离子时,电阻率-温度特性由原来单一的半导体型转变成了高温时的半导体(绝缘体)型和低温时的类金属型.随Nb掺杂量增大,电阻率迅速升高3～5个数量级,半导体(绝缘体)-类金属转变温度降低.在掺杂Nb的样品中,只观察到顺磁-铁磁转变,而未观察到铁磁-反铁磁转变.上述实验结果的一种可能解释是掺杂改变了磁有序时电子自旋的排列和空间取向,从而改变载流子被自旋热涨落的散射作用和载流子转移的随机性.     

热双金属稳定化热处理效果的电阻分析

通过电阻和X-Ray衍射分析方法，研究了热双金属5J20110及其组元在稳定化热处理过程中电阻率和残余应力随循环次数的变化。研究结果表明经第一次循环热处理后，热双金属的残余应力下降最显著，与合金电阻率的变化趋势相同。通过电阻率的分析可以确定稳定化热处理的效果。     

ZnO导电陶瓷的制备及电性能研究

采用注浆成型法制得ZnO导电陶瓷 ,通过添加Al2 O3、Cr2 O3、Fe2 O3、La2 O3,探讨了各添加剂对ZnO陶瓷电性能的影响。结果表明 ,聚丙烯酸胺 (PMMA)是ZnO粉体良好的分散剂 ,其质量分数在 0 3%时可得到低粘度、高固含量的ZnO悬浮体。各种氧化物添加剂的添加量对ZnO陶瓷的室温电阻率及电阻温度特性具有较大的影响。随着Al2 O3添加量的增加 ,ZnO陶瓷体的电阻率先略微减小然后增大 ;添加Cr2 O3与添加Al2 O3的效果相反 ;随着Fe2 O3、La2 O3添加量的增加 ,ZnO陶瓷体的电阻率增大。添加Al2 O3、Cr2 O3、Fe2 O3、La2O3的ZnO陶瓷呈现负电阻温度特性。     

堤坝地形对直流视电阻率曲线影响的实验研究

直流电阻率法是一种无损检测方法，因其快速、经济、直观、高效率而常用于堤坝隐患探测中，其基本理论是建立在半无限空间基础上的，然而堤坝作为一类较为特殊的几何体，会影响地下电场的空间分布规律，因此堤坝的这种特殊几何形状会对视电阻率造成一定的影响，从而给测量结果的正确解释带来不利影响。通过对几类简单堤坝隐患模型实验的结果进行分析可知，在堤坝上进行直流电阻率法工作必须进行地形改正，才有可能对测量结果做出正确的解释，最后简要介绍了地形改正的方法。