地震横波勘探与联合剖面法在城市地质调查中的综合应用

本文分别阐述了横波勘探与联合剖面法的工作原理,并详细阐述了反射横波勘探在浅地层特别是松散的浅表层勘探中比纵波具有更高分辨率的优势。并以珠三角某地城市环境地质调查工区作为试验区,采用反射横波勘探和联合剖面法两种物探方法进行,根据横波地震剖面以及联剖电阻率曲线划分了该区浅表层的地层分布特征以及咸水区与淡水区的界限,不但与钻...     

高密度电阻率法多剖面二维勘探数据的三维反演及应用

目前高密度电阻率法所采用的数据资料处理方法主要是把地质结构体视为二度体进行二维处理,而实际的地质结构体大都为三度体或似二度体,从而二维数据资料处理结果只是一种近似解释,其计算精度与反演效果都不佳,对测区多条断面进行综合解释的难度大。然而在实际勘探工作中,受自然条件和工作成本的影响,三维勘探原始数据的获得一般较少,数据勘探仍以二维为主,这样利用二维勘探数据进行三维反演显得尤为重要。本文结合了广东某地高密度电阻率法对岩层划分的工程勘察实例,利用二维勘探的数据进行三维反演,并对二、三维反演结果进行对比,结果表明三维反演在岩层划分中更能凸显岩层分界面区域及岩层的空间分布,而岩层与覆盖层的整体连续性也得以更真实的体现,与钻探结果吻合更好。     

莫西庄地区低阻油层成因分析与饱和度评价

莫西庄地区侏罗系储层具有低孔、低渗、低阻、强亲水特征。低阻油层饱和度评价是当前测井评价难题,而低阻油层成因分析是饱和度评价的基础。通过研究区储层粘土类型和粘土含量分析、多矿化度岩电分析实验、泥浆滤液侵入对地层电阻率影响的数值模拟、储层微毛细管发育情况及其它地质特征的深入研究,综合分析了各种因素对地层电阻率的影响,结果表明,微毛细管发育导致的高束缚水饱和度是造成本地区油层低阻的主要原因。根据微毛细管发育的低阻油层特征,分别采用导电岩石骨架(CRMM)模型和Archie公式对本地区低阻油层含水饱和度进行了计算,结果表明,CRMM模型的计算结果与地层真实情况吻合更好。     

八面河地区低阻油层成因及识别方法研究

八面河地区面14井区Es<'6><,4>砂组低阻油层发育,根据面14井区Es<'6><,4>砂组的沉积环境、储层的微观特征、粘土矿物的含量及成分、微观孔隙的导电机理等方面对其成因进行研究和探讨.综合分析了造成低阻的主要因素,并依据试油试采资料,利用地质统计法建立了低阻油层的识别图版;通过创立测井曲线的"三性"对比法识别...     

俄罗斯过套管电阻率测井仪U电位波形干扰分析

俄罗斯过套管电阻率测井仪在测井时,需要向井下套管注入6 A~7 A正负交替的供电电流。由于供电电流大,缠在滚筒上的电缆具有电感效应,在正负电流极性更换瞬间,会在电缆缆芯上产生很强的感应电动势,使得U电位波形出现双峰强脉冲干扰。俄罗斯测井软件提供了测井数据采集区间选取功能,可以避开双峰强脉冲干扰区间。经过实验验证,用模拟电缆阻值的大功率纯电阻代替电缆注入套管供电电流,U电位双峰强脉冲干扰消失。     

砂岩地层视电阻率计算及流体性质识别

以均质储集岩模型为基础,建立了油层、含可动水油层及水层视电阻率解释方程.提出地层流体替换率和泥浆滤液分配系数的概念.在淡水泥浆或盐水泥浆钻井条件下,采用地层流体替换率定量评价砂岩地层受钻井液污染程度.钻井液的电阻率越低,电阻率测井的失真度就越高,地层流体替换率越高,渗透性砂岩地层受钻井液的污染程度就越高.采用所建立的视...     

新北油田馆上段储层电阻率特性及影响因素

通过对新北油田油气层、油水同层及水层围岩的电阻率特性分析,认为该区电阻率差异较大,既存在正常油气层的电阻率特征,又存在低阻油气藏的电阻率特征.研究总结有如下规律:该区油气层束缚水饱和度越高,电阻率越低;油层厚度越薄,电阻率越低;构造幅度越小,电阻率越低;地层水矿化度越大,电阻率越低;油水系统越复杂,电阻率越低;原油性质...     

随钻方位电磁波电阻率未钻地层预测技术

通过大量的调研、分析和归纳,介绍了一种采用随钻方位电磁波电阻率测量仪器对未钻地层进行预测的新方法,介绍随钻电阻率测量技术,未钻地层随钻方位电磁波测量技术,未钻地层预测定义、所用仪器、功能比较及未钻地层预测技术在复杂油气藏领域的应用。对国内开展未钻地层预测及探测、随钻地质导向及油藏导航应用、储集层精细解释及评价、定量随钻测井等方面的研究具有借鉴价值。     

安岳—合川地区低阻气层形成机理研究

安岳—合川地区储层属于低孔、低渗砂岩储层,其复杂的微孔隙系统以及较大的水膜厚度使其具有高束缚水饱和度,且高矿化度的地层水形成了异常发达的导电网络,形成低阻特征。文中结合储层的岩性、物性及水质等进行了相关计算和实验分析,探索了研究区低阻气层的成因。结果表明,导致研究区气层低阻的因素包括粒度大小、高矿化度地层水、高束缚水饱和度。     

低质量Si材料制备太阳电池

通过对比不同硼-磷(B-P)补偿程度的低成本、高杂质含量硅材料制备的太阳电池的性能,发现在含B和其它杂质含量都比较高的Si材料中通过掺入P补偿过多的B可以提高低质量Si片的电阻率、增加少数载流子寿命从而提高电池效率同时还能够减少电池性能的衰减.利用低质量Si材料(B含量2*10-6wt)制作出了效率达到14%左右的大面...