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《International Journal of Circuit Theory and Applications》2017,45(12):2201-2210
This paper proposed simple and accurate threshold voltage (V TH ) extraction techniques, which can be directly adaptable to various semiconductor technologies ranging from deep sub‐micron complementary metal–oxide–semiconductor to large‐area thin‐film transistor devices. These techniques are developed using multiple circuits, namely, a dynamic source follower, an inverter with a diode‐connected load and a current mirror topology, which allow a direct determination of V TH . As the proposed techniques are experimented with large‐area emerging technologies, which have a stable single type (n‐type) transistor, all the designs employed in this work are confined to only n‐type transistors for a fair comparison. The semiconductor technologies under consideration are standard complementary metal–oxide–semiconductor (65 and 130 nm) and oxide (indium–gallium–zinc–oxide and zinc–tin–oxide) thin‐film transistors. In order to validate the accuracy of the proposed techniques, extracted V TH from these methods are compared against the value from linear transfer characteristics. The resulting relative error is within 5%, reinforcing proposed techniques suitability to different semiconductor technologies ranging from deep sub‐micron to large‐area transistors. Copyright © 2017 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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在水溶液中以抗坏血酸为还原剂、PVP为分散剂,分步还原硝酸银制备出微米级银粉.采用SEM和XRD等表征手段,考察银粉颗粒随反应原料加入速度及硝酸银加入量的生长规律,并借助AFM对其生长机理进行了研究.结果表明,当反应原料滴加速度为1 mL/min时,可获得粒径为1.8 μm、形貌规则的单分散性球形银粉颗粒,且其粒径随硝酸银加入量呈近线性增长;银粉晶粒以层状方式生长、台阶簇方式推进,属Kossel-Stranski二维成核. 相似文献
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采用真空热压工艺,在烧结温度1750℃、烧结压力32MPa、保温时间5min的工艺条件下制备了添加不同量纳米六硼化钙(CaB6)粉末的微米烧结体,研究了纳米粒子含量对CaB6烧结体形貌组织和力学性能的影响.纳米粉末加入量为10wt%纳米/微米复合陶瓷的致密度和力学性能最佳,硬度、弯曲强度和断裂韧性分别为92.6 HRA、331.7MPa和3.06MPa.m1/2,优于微米烧结体和添加镍作为烧结助剂的烧结体.纳米粒子对微米颗粒晶界的填充和在复合烧结体中形成的"内晶型"晶粒结构是提高复合陶瓷致密度和力学性能的主要原因. 相似文献
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由工业氯化钙制备高纯碳酸钙微粉的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
根据电子陶瓷行业的需要,进行了由工业CaCl2制备高纯CaCo3的过程研究,重点考究了CaCl2R OGE RMHJBWT VS TSWR,TFFUCF UTKKGJ WX NTCER 相似文献
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三维硅已被证明为极具前景的锂离子电池负极材料,然而现有的三维硅负极在循环性能和初始库伦效率等方面存在挑战。采用盐酸刻蚀、镁热还原和表面组装的策略,从天然蒙脱矿土直接制备出微米级的三维多孔硅/二氧化钛(3D pSi@TiO2)复合材料。结果表明:复合材料具有的三维多孔结构能够提供足够的空隙,缓解了脱-嵌锂过程中发生的体积膨胀,缩短了电子传输和锂离子扩散的路径,有利于锂离子的快速嵌入和脱出并减少极化;与二氧化钛的有效复合,进一步提高了复合材料的导电率及结构的稳定性;3D pSi@TiO2负极在0.5A?g-1电流密度下循环200次后,可逆容量高达1 261.19 mAh?g-1及90.79%的优异容量保持率,同时初始库伦效率可达到80.6%。 相似文献
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