首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   128篇
  免费   12篇
  国内免费   10篇
电工技术   3篇
综合类   8篇
化学工业   38篇
金属工艺   11篇
机械仪表   11篇
建筑科学   1篇
矿业工程   6篇
能源动力   5篇
轻工业   10篇
石油天然气   5篇
武器工业   2篇
无线电   22篇
一般工业技术   22篇
冶金工业   2篇
原子能技术   1篇
自动化技术   3篇
  2023年   4篇
  2022年   3篇
  2021年   5篇
  2020年   7篇
  2019年   2篇
  2018年   1篇
  2017年   7篇
  2016年   11篇
  2015年   7篇
  2014年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   11篇
  2011年   9篇
  2010年   9篇
  2009年   6篇
  2008年   6篇
  2007年   9篇
  2006年   7篇
  2005年   6篇
  2004年   6篇
  2003年   8篇
  2002年   8篇
  2001年   5篇
  2000年   3篇
  1999年   1篇
  1998年   3篇
  1993年   1篇
  1991年   1篇
  1990年   1篇
排序方式: 共有150条查询结果,搜索用时 125 毫秒
141.
This paper proposed simple and accurate threshold voltage (V TH ) extraction techniques, which can be directly adaptable to various semiconductor technologies ranging from deep sub‐micron complementary metal–oxide–semiconductor to large‐area thin‐film transistor devices. These techniques are developed using multiple circuits, namely, a dynamic source follower, an inverter with a diode‐connected load and a current mirror topology, which allow a direct determination of V TH . As the proposed techniques are experimented with large‐area emerging technologies, which have a stable single type (n‐type) transistor, all the designs employed in this work are confined to only n‐type transistors for a fair comparison. The semiconductor technologies under consideration are standard complementary metal–oxide–semiconductor (65 and 130 nm) and oxide (indium–gallium–zinc–oxide and zinc–tin–oxide) thin‐film transistors. In order to validate the accuracy of the proposed techniques, extracted V TH from these methods are compared against the value from linear transfer characteristics. The resulting relative error is within 5%, reinforcing proposed techniques suitability to different semiconductor technologies ranging from deep sub‐micron to large‐area transistors. Copyright © 2017 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
142.
SiC纳米/微米粒子表面修饰、涂覆的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
回顾了近些年SiC纳米/微米微粒表面修饰、涂覆的研究进展,分析了影响SiC粒子表面修饰、涂覆的主要因素,并进一步论述了该领域现阶段的发展水平及存在的问题,预测了它的发展前景.  相似文献   
143.
微米与亚微米级的液固与气固混合物的一种新型分离技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
微米与亚微米级的液固与气固混合物的高效分离非常困难。目前工业生产上普遍使用的各种传统分离技术,其分离效率均不高。本文给出一种新的分离技术——高分子烧结精密微孔过滤技术(由烧结微孔过滤介质、精密微孔过滤机、辅助装置及不同的应用方法组成)能对这些混合物进行高效分离,能得到干的滤饼。除了过滤效率高外,其操作还非常简便,占地面积较小,动力消耗较少,操作成本与投资费均较低。该技术已在国内许多工业生产与废水处理中获得广泛应用。  相似文献   
144.
针对冀东南堡中深层泥页岩地层微裂缝与层理发育、脆性强、易发生井壁失稳等问题,以阳离子乳化基质沥青、阳离子乳化特种沥青及耐高温弹性体乳液为原料,制备了一种抗高温阳离子乳化沥青封堵防塌剂。实验评价表明:抗高温阳离子乳化沥青能在井壁表面及裂缝内部吸附破乳,提升了泥饼质量,能使外泥饼光滑、致密,内泥饼有效封堵裂缝;与钻井液配伍性好,加量3%时,钻井液失水量减少47%,降滤失性较常用磺化沥青提高38%。抗高温阳离子乳化沥青可满足中深层高温、微米裂缝封堵需求。  相似文献   
145.
汪明球  闫军  崔海萍  杜仕国 《材料保护》2011,44(9):51-54,93
纳米/微米复合技术是粉体表面改性的重要方法,通过微米粉体表面纳米化修饰,不仅能有效解决纳米粒子易团聚的难题,同时还能赋予微米粉体新的功能,提高其附加价值。为此,重点综述了纳米/微米复合粒子制备的主要方法,简述了其在复合材料、固体推进剂等领域的应用,并对其今后的发展方向进行了讨论。  相似文献   
146.
在水溶液中以抗坏血酸为还原剂、PVP为分散剂,分步还原硝酸银制备出微米级银粉.采用SEM和XRD等表征手段,考察银粉颗粒随反应原料加入速度及硝酸银加入量的生长规律,并借助AFM对其生长机理进行了研究.结果表明,当反应原料滴加速度为1 mL/min时,可获得粒径为1.8 μm、形貌规则的单分散性球形银粉颗粒,且其粒径随硝酸银加入量呈近线性增长;银粉晶粒以层状方式生长、台阶簇方式推进,属Kossel-Stranski二维成核.  相似文献   
147.
采用真空热压工艺,在烧结温度1750℃、烧结压力32MPa、保温时间5min的工艺条件下制备了添加不同量纳米六硼化钙(CaB6)粉末的微米烧结体,研究了纳米粒子含量对CaB6烧结体形貌组织和力学性能的影响.纳米粉末加入量为10wt%纳米/微米复合陶瓷的致密度和力学性能最佳,硬度、弯曲强度和断裂韧性分别为92.6 HRA、331.7MPa和3.06MPa.m1/2,优于微米烧结体和添加镍作为烧结助剂的烧结体.纳米粒子对微米颗粒晶界的填充和在复合烧结体中形成的"内晶型"晶粒结构是提高复合陶瓷致密度和力学性能的主要原因.  相似文献   
148.
由工业氯化钙制备高纯碳酸钙微粉的研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
根据电子陶瓷行业的需要,进行了由工业CaCl2制备高纯CaCo3的过程研究,重点考究了CaCl2R OGE RMHJBWT VS TSWR,TFFUCF UTKKGJ WX NTCER  相似文献   
149.
三维硅已被证明为极具前景的锂离子电池负极材料,然而现有的三维硅负极在循环性能和初始库伦效率等方面存在挑战。采用盐酸刻蚀、镁热还原和表面组装的策略,从天然蒙脱矿土直接制备出微米级的三维多孔硅/二氧化钛(3D pSi@TiO2)复合材料。结果表明:复合材料具有的三维多孔结构能够提供足够的空隙,缓解了脱-嵌锂过程中发生的体积膨胀,缩短了电子传输和锂离子扩散的路径,有利于锂离子的快速嵌入和脱出并减少极化;与二氧化钛的有效复合,进一步提高了复合材料的导电率及结构的稳定性;3D pSi@TiO2负极在0.5A?g-1电流密度下循环200次后,可逆容量高达1 261.19 mAh?g-1及90.79%的优异容量保持率,同时初始库伦效率可达到80.6%。  相似文献   
150.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号