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151.
微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性 总被引:1,自引:0,他引:1
外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要. 相似文献
152.
153.
报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收. 相似文献
154.
主要讨论一维Metamaterlals的禁带性质。对传输线结构的一维Metamaterials进行了电路仿真。保持加载电感不变时,调节加载电容;反过来,保持加载电容不变,调节加载电感的参数。得到一系列仿真曲线,基于微波网络理论,分析了禁带的变化规律。加载电容偏离匹配点电容越大,禁带越宽,同时也越深;同样的,加载电感偏离匹配电感越大,禁带就越宽,同时禁带也越深。 相似文献
155.
Windows环境下计算机与高速数字信号处理系统实时通信 总被引:4,自引:3,他引:4
介绍了Windows应用程序访问计算机硬件的主要方法 ,结合实例描述了如何运用Windows虚拟设备驱动程序实现计算机应用程序与高速数字信号处理系统之间实时通信 相似文献
156.
介绍了配电系统使用的智能型无功补偿装置的主要构成部件 :智能控制器、真空开关、传感系统及开关操作电源、高压电容器。详述了智能控制器的控制、记录、保护功能 ,举例分析了使用效果 相似文献
157.
半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。 相似文献
158.
159.
DS92LV18在光纤数据传输设计中若干问题的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
DS92LV18是集串行编码器和解码器于一体的高性能串行解串器,是光纤数据传输设计中的理想器件,笔者以自身的设计体验,对该芯片在光纤数据传输设计中应该注意的问题进行了深入的研究,并给出了相应的解决方案。 相似文献
160.
牛炎 《数字社区&智能家居》2007,(11):832-836
本文简述了长春市秋实E蒂佳苑智能化住宅小区的智能化系统工程设计.论述智能化集成管理系统BMS的设计思想。文中从集成的网络层次上对以现场总线为基础的控制网络及其与信息网络的集成技术进行了剖析,在此基础上.采用Visual Basic 6.0开发了现场监控程序.并通过Lonworks DDE技术建立了上层的管理与监控的应用.从而实现控制信息与管理信息的集成。 相似文献