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152.
新一代增强平面栅软穿通型(Soft Punch Through+,SPT+)IGBT采用了阴极侧载流子浓度增强技术,降低了通态损耗.现有仿真模型大多是基于典型穿通型(Punch Through,PT)IGBT建立的,无法准确描述SPT+型IG-BT的通态特性.本文在现有PT模型的基础上,结合SPT+型IGBT的结构特点和工作特性,将基区分为PIN区和PNP区两个部分,对阴极侧载流子分布进行优化,提出一种改进的SPT+型IGBT稳态模型.通过新旧模型的仿真波形与实测波形的对比,验证了改进模型的准确性. 相似文献
154.
有机硅弹性体因具有良好的绝缘性与耐高温的特性,广泛应用于高频、高压、高温工况下的SiC器件中.在宽频率、宽温度范围内,有机硅弹性体材料的介电性能对SiC器件内部电场分布产生极大影响,因此该文采用频域介电谱分析方法获得了宽频(10?2~107Hz)、宽温度(20~280℃)范围内的有机硅弹性体介电特性数据,掌握有机硅弹性体在不同频率、温度条件下的介电弛豫过程,在此基础上,采用改进Cole-Cole模型对有机硅弹性体的弛豫特性进行分析,获得温度对有机硅弹性体介电响应过程与介电特征参数的影响规律.研究结果表明,随频率上升,复介电常数实部明显下降并趋于稳定,复介电常数虚部呈现先下降后上升到达峰值的趋势.在高温低频条件(160℃以上,100Hz以下)下,有机硅弹性体材料出现明显的低频弥散现象,280℃下观测到了电荷扩散过程的出现;不同温度下Cole-Cole模型特征参数中直流电导率σdc、弛豫强度Δε 与低频弥散强度ξ 与温度的关系满足Arrhenius方程规律;高频介电常数ε∞随温度升高而降低,与温度近似呈线性变化;弛豫时间τ 在高温下随温度上升具有明显指数型下降趋势,其机理可利用双势阱模型描述.该文获得的有机硅弹性体宽频、宽温度范围内的介电特性可以为SiC器件封装绝缘设计提供数据支撑. 相似文献
155.
156.
157.
寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗.然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感.因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对SiC MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究.研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小.最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见. 相似文献
158.
高职教育虽是高等教育的一个重要分支,许多方面二者都有相似之处,但就人才培养目标和社会市场对人才的要求方面,高职教育与普通高等教育有所区别。在高职教育的专业课程体系里面,高职院校教师如何进行有针对性的教学,如何提高高职教育课堂的教学质量,尤其是实践教学环节,这值得我们探索。一定要制定一套专门适应高职类学生的教学课程体系,专门的教学大纲,专门的课程标准,对每一门课程的课程设计都应该考虑高职类学生的职业能力。本文主要根据《JSP动态网页设计》课程为例,抛砖引玉来探索高职类课程教学的科学过程,为高职院校教师同行提供一定教学参考。 相似文献
159.
赵志斌 《电脑编程技巧与维护》2005,(12):85-85
对银行、电信等行业来说,业务数据是非常重要的。如何保证业务数据的安全、自动备份呢?在UNIX系统中,可通过自动安排系统作业调度实现,在系统空闲时间里自动执行任务。定期完成数据的本机备份和备用机备份等,使数据备份做到及时安全。下面讲解具体实现过程: 相似文献
160.
电力线路架空地线分流电流的计算 总被引:7,自引:0,他引:7
为了分析计算节点间存在电气连接的复杂电力网络,在原双侧消去法的基础上,以节点电压为变量,建立含有各段电流的节点电压方程,选择每段导体与大地间的网孔为回路,采用回路法建立方程组,进而求解出各段电流。这种方法的优点在于扩大了双侧消去法的应用范围,同时保留了双侧消去法方程阶数小,求解速度快的优点。在实际工程中,可以处理电力线路附近连接复杂的金属管线、架空地线。最后分析了不同情况的架空地线在线路故障时的分流。 相似文献