功率半导体器件与高压直流输电技术

高压直流输电技术是电力电子技术在电力系统中应用最早、最成熟的技术。功率半导体器件是电力电子变换器的基础,是推动电力电子变换器发展的源泉,是推动相关领域发展的源动力。本文对功率半导体器件和高压直流输电技术的发展和相互关系进行了阐述,对二者的未来发展进行了展望。     

电压型ICPT系统功率传输特性的分析与优化

针对感应耦合电能传输(ICPT)系统功率传输能力和效率优化问题,对电压型ICPT的功率传输特性进行了分析.通常认为提高系统的谐振频率能提高系统的功率传输能力,但通过本文的研究发现,对于采用SS拓扑的ICPT系统,谐振频率的选取存在一个优化的取值,而对于采用SP拓扑结构的ICPT系统,在一定的频率带上,谐振频率的增加对系...     

输煤皮带撕裂检测装置的研制与应用

针对电厂输煤皮带经常发生撕裂的原因研制出3种皮带撕裂检测装置(SB-1型连杆滑块皮带撕边检测装置、SLD-1型弧形位移输煤皮带撕裂检测装置和SLF-1型矩形位移输煤返程皮带撕裂检测装置)。这3种装置结构简单,造价低,适合电厂应用,涵盖了电厂输煤系统皮带撕裂的种种可能,基本上达到了皮带撕裂探测和保护的技术要求,减少了输煤停机事故的发生。     

薄板坯连铸技术及其进展

介绍了薄板坯连铸不同结晶器形式的开发与应用,以及我国薄板坯连铸技术的发展。     

测量磁感应强度诊断变电站接地网断点

为有效检测变电站接地网导体断点故障,提出了一种新的诊断方法,即通过接地网的两根上引导体直接注入异频的正弦波激励电流,据电磁感应原理测量地表磁感应强度的分布特征,诊断接地网导体节点与非节点处的断点故障。利用接地网性能分析软件进行的仿真计算论证了方法的可行性。针对变电站实际的电磁干扰环境,设计了专用的检测诊断系统并用实验结果表明其性能满足检测需要。模拟接地网的实验研究表明诊断方法正确,提高了诊断的效率和精度,检测系统可用于工程实际。     

Al3+对浸铀混合菌活性的影响

研究认为Al³⁺在细菌浸铀过程中有络合氟、降低氟对浸铀负面影响的功能。为了更好地了解Al3+对浸铀混合菌生长活性的影响,对细菌生长周期和菌液氧化Fe²⁺的速率受Al³⁺浓度的影响进行了研究,并分析了离子浓度对菌液生长影响的机理。结果表明：①浸铀混合菌的活性与Al³⁺的浓度密切相关。当Al³⁺浓度小于8 g/L时,对混合菌的氧化能力和生长周期的影响很小;继续提高Al³⁺浓度,对混合菌氧化能力和混合菌生长周期的影响越来越显著,混合菌生长受抑制越来越明显。②Al³⁺浓度小于8 g/L时,混合菌表现出较强的调节代谢的能力,即通过改变或调整代谢途径,可在一定程度上适应新的环境。因此,当细菌浸铀需要利用Al³⁺时,其浓度不应超过8 g/L。     

1967～2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真

2μm波长附近可调谐半导体激光器在分子光谱学和光通信领域中有广阔的应用前景。基于绝缘体上硅（SOI）平台,对2μm波长附近可调谐半导体激光器的外腔部分进行了设计优化。分析了不同尺寸光波导的模式损耗特性、单个微环谐振腔受总线波导耦合间距的作用以及总线波导光反馈终端对外腔半导体激光器性能的影响。并提出了一种具有高工艺兼容度的多模环形光波导光反馈结构。所设计的可调谐半导体激光器硅基外腔可通过环形波导上的镍铬合金微加热器进行0.1 nm/K的高精度调谐,对单个微加热器施加3.2 V电压时,调谐范围可达66 nm(1967～2033 nm)。     

基于分层对齐迁移学习的锂离子电池容量估计北大核心CSCD

精准的容量估计对锂离子电池健康管理和预测性维护具有重要意义。近年来,数据驱动的方法被广泛应用于锂离子电池容量估计,然而现有的数据驱动方法大多假设训练和测试数据服从相同分布,当此假设不满足时,模型的预测精度快速下降。现有的基于迁移学习的锂离子电池容量估计方法旨在对齐源域和目标域的整体分布,而忽略了不同层内的特征的可迁移性。针对以上问题,研究了深度迁移学习方法不同层之间的特征可迁移属性,提出了基于分层对齐迁移学习(hierarchical alignment transfer learning,HATL)的锂离子电池容量估计方法。首先,构建了一个基于卷积神经网络的特征提取器,考虑不同层特征的可迁移性,对不同层特征施加最大均值差异约束和通道注意力一致性约束,使得特征提取器从源域和目标域提取到的特征相似且模型更加关注域不变特征;然后,特征经过一个预测器得到容量估计值。在公开的锂电池数据集上进行充分验证,并与其他方法进行对比,结果表明,本文所提的HATL方法具有更高的估计精度,明显优于其他方法。证明了迁移学习方法在跨工况容量估计任务中的有效性和优越性。     

弹性压接型IGBT器件封装结构对芯片内部电场的影响研究EI北大核心CSCD

高压大功率电力电子器件内部电场的准确计算,是保证器件绝缘设计满足要求的基本条件。首先,在静态场下建立考虑封装绝缘结构和芯片半导体载流子输运过程的耦合电场计算模型,并利用高压芯片反向特性测量平台,测量获得3300V高压芯片的耐受电压,与文中所建立模型的计算结果相对比,结果表明,计及芯片和封装耦合后,芯片耐受电压的计算结果与测量结果之间的误差由不考虑封装时的4.96%降低为0.8%。此外,以文中所使用的3300V高压芯片终端结构为例,应用耦合电场计算模型,计算在不同电压下的弹性压接封装结构下电场的分布分布特性,计算结果表明在2000V下,计及封装和芯片耦合后,芯片内部最大电场为不考虑封装结构时的1.24倍,且最大电场由终端区中部转移到末端。随着施加电压的增加,封装绝缘结构对于芯片电场的影响逐渐增大,芯片终端区表面电场显著增加甚至超过芯片内的最大电场。最后,利用部分电容模型,给出外部封装对于芯片电场影响的机理解释,并分析半导体–绝缘体界面电荷密度以及外部封装绝缘材料的介电常数对于芯片电场的影响规律,该文的结果可为高压大功率器件绝缘设计提供参考。     

微型磁吸附爬壁机器人结构设计及实现

文中针对小曲率铁质面吸附、爬行难的问题，设计了一款永磁体吸附的微型爬壁机器人。该机器人采用磁吸附提供正压力，通过履带与铁质壁面的摩擦力提供机器人的驱动力。同时，为了使机器人在工作中保持安全避免失稳，对机器人在4种易脱离的情况下进行受力分析，计算出了机器人保持安全所需的磁吸附力。利用有限元软件分析永磁体的厚度及永磁体与壁面间的距离等因素对吸附力的影响规律，得到了最佳结构尺寸。通过搭建样机在圆筒上进行0～2π的一圈爬行测试，验证了此机器人能够在任意角度进行稳定工作，为后续爬壁机器人结构的设计和优化提供了借鉴。