SMT焊点间隙和贴片误差自调整作用分析

采用表面组装ＳｎＰｂ焊点形态的势能控制方程,对片式元件ＲＣ３２１６的三维焊点形态了数值模拟。基于焊点体系的势能数据,分析了片式元件的焊点间隙和贴片误差的自调整作用。结果表明,焊点间隙随焊点钎料量的增加而近似线性增加;焊点间隙和粘点钎料量的增加有助于贴片误差的自调整作用,并提出了焊点间隙的一种回归模型。     

憎水迁移性是RTV涂料在电瓷防污闪中的关键特性

通过对电气设备绝缘子污闪原因分析及防污工作的实践,从RTV涂料组成出发,论述其防污闪作用原理,提出憎水迁移性是RTV涂料在电瓷防污闪中的关键特性。     

基于有限元方法的板间电连接器装联工艺优化

在分析板间电连接器装联典型安装形式及存在问题的基础上,选取某型号航天器电源产品实物为分析对象,建立有限元分析模型,分析得出在不同焊接顺序和焊接温度下,印制板组件内部的应力场和变形量的变化规律,为正确选择板间电连接器的装联工艺提供了指导意见。     

基于广义铺展条件下的倒装焊焊点形态预测

随着电子元器引线密度的不断提高,不同条件下焊点形态的精确预测至关重要. 考虑钎料量过大溢出到焊盘以外区域(如焊盘外侧的阻焊层或基板)的情况,基于所提出的广义铺展条件建立了适用于倒装焊焊点的三维形态预测模型,给出了基于该模型的能量及体积约束方程. 此外,给出了钎料在不润湿表面接触角的测量方法,通过该方法得到了钎料与基板间的润湿角参数,在此基础上利用Surface Evolver有限元软件对倒装焊焊点形态进行了预测并进行了试验验证. 结果表明,在各种条件下模拟与试验结果吻合良好.     

电子封装与组装焊点界面反应及微观组织研究进展

软钎焊焊点界面反应是连接金属的最古老的冶金工艺过程。随着倒装芯片(FC)、球栅阵列(BGA)和芯片级封装(CSP)等面封装技术的兴起,近年来Sn基钎料被广泛应用于微电子制造,包括芯片和基板之间的封装互连以及基板与印制电路板之间的组装互连。这就需要系统地研究Sn基钎料焊点界面反应及微观组织。从形态学、热力学和动力学的角度回顾总结了SnPb共晶钎料、高Pb钎料和无Pb钎料与Cu、Ni、Au/Ni/Cu、PdAg焊盘之间的界面反应。     

面向新工科“五维形态”的城乡规划课程结构反向设计

在我国新工科建设背景下,城乡规划教学如何匹配国土空间发展尤为重要。城乡规划作为实践性较强的工科专业,课程成果是直接检验其授课效果的高效工具。针对目前理论课程教学成果路径设置模糊、实践创新性不足、理论知识繁杂枯燥等问题,本研究面向新工科（人文维度、规模维度、政治维度、产业维度与人文维度）“五维形态”,将OBE理念分解为5个阶段运用到课程结构设计中,结合课程技术、规模、政治与人文成果形成知识模块、能力模块及素质模块,力求提升城乡规划专业理论课教学效果。     

光纤定位激光钎焊键合过程中钎料与镀层的界面反应

光电子封装中,光导纤维的定位键合是一项关键技术,并且焊点界面处的显微组织对于焊点的可靠性有重要影响.本文选用80Au20Sn和52In48Sn钎料实现了激光钎焊条件下的光纤键合,采用扫描电子显微镜及能谱分析的方法对于两种钎料分别与硅片上的Au/Ti镀层和光纤上的Au/Ni镀层反应形成的界面微观组织形态及形成规律进行了分析.结果表明:对于80Au20Sn钎料,除了共晶组织ζ相+δ相,在AuSn/Au/Ti镀层界面形成了大量枝状的先共晶ζ相,在AuSn/Au/Ni镀层界面形成了针状的(Au,Ni)3Sn2;对于52In48Sn钎料,在InSn/Au/Ti镀层界面形成了连续层状的Au(In,Sn)2,随着输入能量的增加,其逐渐转变为不连续的块状化合物AuIn2,在熔融钎料流的作用下部分AuIn2脱离界面进入钎料中,在InSn/Au/Ni镀层界面形成了一层极薄的Au(In,Sn)2.     

均匀钎料熔滴喷射装置设计

针对现有焊球生产设备结构复杂、成本高等缺点,设计了实验室用均匀钎料熔滴喷射装置。该装置分为压力控制器、液滴生成器、气体保护装置以及冷却凝固装置四个部分。其中液滴生成器采用喷嘴局部缩径,使熔滴在表面张力差及重力的作用下实现分离,有效地简化了装置的结构,降低了成本。利用所设计的装置对Sn3.0Ag0.5Cu焊球的制备工艺进行优化,并对优化工艺参数下制备的焊球从表面形貌与球形度、焊球尺寸分布以及钎料微观组织等方面进行质量评定。结果表明：喷射压力、喷嘴到冷却介质表面的距离以及喷嘴内径是影响焊球成形的主要因素。优化工艺参数下制备的焊球尺寸均匀、表面光亮、球形度好、内部组织细密无缺陷。所设计的装置能够满足实验室研究钎料喷射过程以及焊球制备的需要。     

Bonding mechanism of ultrasonic wedge bonding of copper wire on Au/Ni/Cu substrate

The ultrasonic wedge bonding with d 25 μm copper wire was achieved on Au/Ni plated Cu substrate at ambient temperature. Ultrasonic wedge bonding mechanism was investigated by using SEM/EDX, pull test, shear test and microhardness test. The results show that the thinning of the Au layer occurs directly below the center of the bonding tool with the bonding power increasing. The interdiffusion between copper wire and Au metallization during the wedge bonding is assumed negligible, and the wedge bonding is achieved by wear action induced by ultrasonic vibration. The ultrasonic power contributes to enhance the deformation of copper wire due to ultrasonic softening effect which is then followed by the strain hardening of the copper wedge bonding.