高吸水性树脂提高井壁混凝土水密性能的机理

裂缝的产生会导致井壁混凝土的水密性能和耐久性能降低.高吸水性树脂(SAP)可在裂缝中膨胀并堵塞裂缝,从而提高井壁混凝土的水密性能和耐久性能.但SAP堵塞裂缝的机理仍需进一步研究.探究了SAP对混凝土力学性能的影响.通过水渗透测试分析了SAP的裂缝堵塞效果.并借助X射线计算机断层扫描技术探究了裂缝中SAP颗粒的形态特征.结果表明,SAP的掺入导致混凝土的抗压强度和劈裂抗拉强度略有减小.SAP的掺入也会导致预开裂砂浆中的水流速减小,水流速的减小程度随SAP掺量的增加而增大.SAP可在SAP孔中膨胀并堵塞SAP孔位置的裂缝,说明SAP导致水流速减小的原因是SAP能够在裂缝中发生膨胀.     

植物基食品的科学共识(2022年版)

目的:明确我国植物基食品发展特色和方向，洞察植物基食品产业发展需求，凝练产业科技、政策等行业共识，指导和规范产业发展。方法:组织科技界和产业界的相关专家，通过现场质询、文献检索、专题研讨等调研，经广泛讨论形成共识。结果:植物基食品是具有类似动物性食品品质特征和满足消费者营养需求的新品类。发展植物基食品，有助于优化居民膳食结构和提升营养健康水平，实现食物资源高效利用，保障我国粮食安全。植物基食品的加工要实现蛋白优质、营养丰富、质构拟真、风味优良、色泽相似等方面。应加强对植物基食品行业发展的政策引导和支持，助推我国植物基食品产业高质量发展。结论:植物基食品适应国家可持续发展战略需求，要在科技和法规方面不断地进行创新和完善。     

电子雷管技术的推广应用助力爆破器材安全管理工作

电子雷管技术提高了爆破器材的本质安全。通过对电子雷管技术发展历程的介绍,对其推广应用的可行性进行了深入分析,论述了电子雷管技术的推广应用对爆破器材安全管理工作的促进作用,并提出了今后推广应用中还需加强的工作。     

智能化电子信息技术发展及应用分析

文章首先对智能化电子信息技术进行了深入的研究,而后分析了该技术在应用过程中出现的问题,最后结合该技术的相关特点给出了相应的问题解决措施,希望能够对智能化电子信息技术的发展提供帮助。     

纬编成形护膝工艺原理与高弹护膝产品开发

文章阐述针织护膝的3种主要成形方法，包括：圆纬机成形、电脑横机成形、电脑袜机成形。按照功能对市场上的护膝进行分类，如运动护膝、绝缘护膝、医用减压护膝、保暖防寒护膝、袋状空气层护膝等，并分析其优缺点和应用情况。结合纬编成形技术，以涤纶丝纱线和橡筋纱为原料，在ZY550HS型电脑提花护膝机上设计一款高弹针织圆筒护膝，并对其设计工艺进行详细介绍，该护膝具有较好的弹力和优美的外形。最后，对纬编成形护膝的发展趋势进行展望，为今后纬编成形护膝产品的开发应用提供一定的理论依据。     

基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟北大核心

为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。     

InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。     

高光谱成像用高帧频CMOS图像传感器北大核心

针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。