新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

光子晶体与光子晶体光纤

光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新材料，经过十多年的发展，已取得很大进展。光子晶体由于其优越性而具有极好的应用前景，不仅可使光通信领域产生新的变革，同时将对光电子领域及其相关产业产生巨大的影响。介绍了光子晶体及根据其原理开发的光子晶体光纤。     

双层有机电致发光器件有机层厚度优化的数值研究

在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系. 研究发现,对于给定的HTL和EML的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL和EML之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的定量关系.     

ADI公司电源时序控制器

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc．）宣布，PICkit2开发编程器现可对特定PIC单片机产品进行在线调试。据称这将有助于工程师、学生及任何有兴趣的人以非常低的初始投资，对PIC单片机产品进行开发和评估。     

光子晶体及其自组装制备

自从理论计算指出金刚石结构具有完全光子带隙以来，三维光子晶体的理论研究和实验制作一直受到高度重视。光子晶体的制备方法总体上可分为两大类：微制作法和自组装法。前者适合于制备微波、远红外及近红外波段的光子晶体，后者制备近红外、可见或更短波段的光子晶体具有独特的优势。简述了光子晶体的概念和基本特征，并对三维光子晶体的自组装制备方法进行了综述。     

Vishay新型表面贴装Bulk MetalZ箔电阻

日前．Vishay Intertechnology宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk MetalZ箔（BMZF）电阻．这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至&;#177;0．005％的长期稳定性、低于土0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时&;#177;5ppm的出色PCR及&;#177;0．01％低容差等特性的器件。     

光电器件

ASMC-QxB2-Txxx：高亮度LED;ACPL-3130/J313、ACNW3130：光电耦合器;ZLE60400：AMC光学延伸卡;[编者按]     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。