济南市中水工程建设的现状分析与对策措施建议

济南是水资源短缺的地区。随着经济发展和城市化进程的加快,城市对水的需求不断增加,水已经变得“稀缺”。解决城市缺水的问题,直接关系到人民群众的生活,关系到社会的稳定,关系到城市的可持续发展。这既是我国当前经济社会发展的一项紧迫任务,也是关系现代化建设长远发展的重大问题。对     

超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响

为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超品格插入层.界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错.即使超晶格本身也产生位错,但位错的产生率比阻挡率低,所以超晶格总体起阻挡作用,可以减少后续生长的 HT-GaN(高温氮化镓)的位错密度.研究了超晶格厚度对 HT-GaN 的位错密度的影响.比较了超晶格厚度不同的3个样品,并采用高分辨双晶X射线衍射(DCXRD)对CaN进行结晶质量的分析,分别用 H3PO4 H2SO4 混合溶液和熔融 KOH 对样品进行腐蚀并用扫描电子显微镜(SEM)对腐蚀的样品进行观察.用 H3PO4 H2SO4 腐蚀过的样品比用KOH 腐蚀过的样品的位错密度大,进一步验证了之前有报道过的 H3PO4 H2SO4 溶液同时腐蚀螺位错和混合位错而 KOH只腐蚀螺位错.分析结果表明.引入适当厚度的超晶格插入层,可以有效地降低后续生长的 GaN 的位错密度.     

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上，以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜，得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840s。采用高分辨率DCXRD，扫描电子显微镜(SEM)分析。结果表明，以1040℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构，是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0．21，GaN峰强达7K。     

Monte Carlo模拟薄膜生长的研究

阐述了Monte Carlo方法在薄膜生长中的应用和最新进展;简要论述了Monte Carlo算法的类型及各自的特点;结合MonteCarlo方法的特点,提出了模拟薄膜生长的模型以及处理方法.同时,归纳出MonteCarlo模拟薄膜生长需要解决的主要问题.     

a-Si:N FET的研制

用辉光放电连续淀积a-Si_xN_(1-x):H和a-Si:H的方法制备了a-Si:H FET通过改进a-Si:H与源、漏Al电极的欧姆接触,在氮气氛中退火等工艺,获得了直流特性良好的a-Si:HFET.当栅极电压V_G变化10V时,漏、源电流的变化达六个数量级.     

功率半导体器件的发展和市场

功率半导体器件的全球销售额每年以约１５％的速率增长,而传统器件如ＳＣＲ和ＧＴＲ等的年增长率远小于新型器件。以Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体,是今后发展的重点。     

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释这种温度的影响.进一步解释了GaN外延层表面形貌中"凹坑"的形成及"凹坑"与缓冲层生长温度的关系.结果表明,温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.     

管理创新是落实科学发展观的重要途径

著名管理学家德鲁克认为．现代企业管理的一项基本职能就是创新．企业管理创新包括制度创新．文化创新．组织创新．营销创新等方面。创新是企业提升核心竞争力的不竭动力．创新的目的是使企业长期发展并且形成持续竞争优势，竞争优势的表现是要从企业最本质的层面出发构建企业用于竞争胜出的差异化．而创新就是形成差异化最核心的东西；