双频三相功率因数校正

文中提出了一种新型的双频三相全桥功率因数校正器拓扑结构。该拓扑结构由两个三相全桥功率因数校正器(PFC)单元级联而成，共用直流母线。其中一个PFC单元工作在高频，决定系统的补偿性能；而另一个工作在低频，主要承担输出功率的任务。该拓扑结构功率因数校正效果与单个高频三相PFC相同，而损耗与单个低频PFC相当。文中对高频PFC单元采用单周控制方式，对低频PFC单元采用滞环控制。仿真和实验结果证实了理论分析的正确性。     

直流侧APF主电路参数与补偿性能的关系

直流侧有源电力滤波器并联在整流桥的直流侧，对整流类负载的谐波治理有很大的技术优势。主电路参数不仅决定系统能否正常工作，影响系统的补偿性能，还影响整个系统的成本。文中讨论了直流侧有源电力滤波器主电路的主要参数(电感L、直流侧储能电容C)以及电容电压Uc与补偿性能之间的关系，并给出了参数选取标准。为直流侧有源电力滤波器主电路参数设计提供了理论依据。用文中提出的参数设计标准，设计并调试了一台试验样机，试验结果证明了文中理论分析的正确性。     

利用双端口RAM技术实现的高频信号数据采集系统

本文介绍了高速 A/ D转换器 MAX1 1 8,并利用它和双端口 RAM技术实现了对电力电子装置高频信号的数据采集 ,给出了硬件原理图和实验结果 ,理论分析和实验结果验证了该方案的可行性     

三相整流桥直流侧并联型有源电力滤波器

针对不可控三相二极管整流桥,提出了一种三相直流侧并联型有源电力滤波器拓扑结构及其控制策略,该滤波器由工作在工频的3个低频开关和两个串联的双向Boost电路构成。控制策略采用无需进行谐波电流检测和计算的单周控制方法,可抑制整流桥前端注入电网的谐波电流,使整个整流桥装置从电网吸收的电流接近正弦波,功率因数近似为1。与传统的交流侧有源电力滤波器相比,可以减少高频有源开关的数量,降低成本;与功率因数校正器相比,仅处理负载电流中的谐波分量,可减小谐波治理装置的额定容量。仿真和实验结果证明了所提方法的正确性。     

谐振开关电容DC—DC变换器单周控制策略

提出了一种单周期控制的谐振开关电容变换器.对运用单周控制技术与PWM控制的谐振开关电容变换器进行了对比仿真分析.单周控制比较适合用于直接控制谐振开关网络的电荷量,而且计算、设计方法简便,具备良好的动态响应和抗电源干扰强等优点.对仿真分析结果进行了对比试验验证.     

V2-OCC控制Buck变换器

提出一种新型DC/DC控制方法,即V2-OCC控制。首先介绍了其工作原理,然后利用状态空间平均方法建立了V2-OCC控制Buck变换器的小信号模型。在此基础上,对V2-OCC控制和电压控制Buck变换器进行了频域仿真,并对结果进行了对比分析,最后进行了实验研究并给出了相关实验结果。仿真和实验结果表明,V2-OCC控制比电压控制Buck变换器具有更好的抗输入电压扰动能力和更好的动态负载性能。     

基于GPS与温补晶振双同步控制的瞬变电磁测量控制器

提出一种GPS和温补晶振协同工作的高性能同步控制器,实现了瞬变电磁系统(TEM系统)中发射机与接收机的高精度同步。设计融合了GPS与温补晶振的优点,利用温补晶振短期稳定性好的特点,弥补GPS易受干扰的缺陷,解决了GPS短时间失效问题。系统控制和时序产生由CPLD和单片机实现。CPLD完成数字时序电路的产生和控制,能同时产生频率范围为0.0625～32Hz的10路同步信号,单片机接收GPS数据、计算同步起始时间、响应外部控制信号和显示工作状态。通过算法确定起始时间,代替通信方式传递时间参数的做法,更适合于一台发射机、多台接收机并行工作的阵列式TEM系统。该系统已成功地应用到电磁探测领域,并适用于其他高精度的同步采样工业应用场合。     

绝缘栅双极型晶体管结温测量方法及其发展

绝缘栅双极晶体管(IGBT)大功率模块已在新能源发电、轨道交通、航空航天、高压直流输电等众多领域得到广泛应用。在包含大容量风力发电的电网中,其可靠性关系到整个电网的稳定。IGBT模块可靠性研究的基础是其失效研究和寿命预测,两者都与结温密切相关。本文首先阐述了IGBT结温测量的重要性,然后根据各种测量方法的特点,将其归为四大类(物理接触法、光学法、温敏参数法和热网络法)进行了阐述,并对比分析了各种方法的优缺点。最后指出结温测量的发展趋势和所需解决的关键问题,以促进该领域的进一步发展。     

功率谱密度分析在IGBT模块缺陷诊断中的应用

目前,绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块逐渐成为电力电子装置中的主导器件,及早发现其内部缺陷,是避免突发故障的关键举措之一,对增强电力电子装置运行可靠性具有重要意义。为此,提出一种基于门极充电初始阶段电压信号功率谱密度分析的IGBT模块内部缺陷识别方法。该方法建立在IGBT模块运行过程中因经受电、热应力累积而导致门极寄生参数变化的基础上,通过分析门极电压信号功率谱密度的变化,来判断模块内部是否存在缺陷。实验结果验证了其诊断结论的正确性和实用性。     

IGBT器件可靠性评估中建模及参数提取的研究

IGBT器件的失效是与其动态特性相关的复杂过程,涉及到电热机械等多方面因素,如何描述这一过程是掌握器件可靠性的基础。本文从IGBT的导电机理出发,提出采用二极管势垒电容表征其内部寄生电容的方法,建立了IGBT的电路模型,描述其动态特性,并以子电路形式集成到PSPICE软件中。最后进行了模型验证和敏感度分析,结果证实该模型在描述IGBT动态特性方面的效果是可以接受的。