一种低电压3阶4位前馈Σ-Δ调制器

介绍了一种应用于无线通信领域的低电压、带有前馈结构的3阶4位单环Σ-Δ调制器。为了降低Σ-Δ调制器的功耗,跨导放大器采用了带宽展宽技术。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果显示,当工作电压为1.2 V、采样频率为64 MHz、过采样比为16、信号带宽为2 MHz时,电路的SNDR达81 dB,功耗仅为7.78 mW。     

低压低功耗智能传感器模拟前端设计进展

介绍了国内外模拟前端低功耗设计的发展现状以及挑战。基于模拟集成电路功耗设计理论,对智能传感器模拟前端进行了分析,重点论述了模拟前端低功耗设计的特点以及系统级、电路级创新性的实现方法,展望了低压低功耗模拟设计技术的发展趋势。     

基于TCAD的45 nm CMOS器件温度特性模拟

基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45 nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45 nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文件对比表明,在25 ℃~127 ℃范围内,45 nm CMOS器件的电特性能够保持一定的稳定性。     

交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响

介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异。     

一种0.2 mm210位50 MS/s流水线型模数转换器

设计了一款适用于无线通讯系统的3.3 V,10位50 MS/s流水线型模数转换器。减小面积和功耗是设计的核心。通过运放共享技术,减小了芯片功耗和面积;使用耗尽型MOS管改进的CMOS开关替代栅压自举开关,节省了开关面积;采用薄栅器件作为主运放的输入管,提高了运放带宽,减小了运放的面积和功耗;采用耗尽型MOS管设计辅助运放,减小了辅助运放的功耗。基于华虹NEC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,ADC核心版图面积仅为0.2 mm²,功耗为45 mW;在50 MHz采样频率,11 MHz输入信号下,SFDR达78 dB,SNDR达60.7 dB, 有效位数为9.8位。     

一种用于超高频无源标签芯片的整流器设计

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,提出了一种适用于无源UHF RFID标签芯片的CMOS整流器。与传统二极管连接方式的MOS管相比,使用了一种不同的二极管连接方式的MOS管,减小了阈值电压和漏电流。利用新结构实现了一个5级电荷泵整流电路。测试结果表明,当输入0 dBm信号时,整流器的转换效率为29.24%。整体芯片的面积是(0.7 × 0.6) mm²。     

一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计

基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。     

埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响

研究了P埋层深度对体硅 Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考。     

氯化铵对Al粉材料直接氮化的影响

分析了NH4Cl对Al粉直接氮化程度的促进作用,并采用实验的方法进行验证.实验中对NH4 Cl的含量比例进行优化,并通过XRD、SEM、XRF和EDS进行测试、分析和表征.结果表明,当铝粉与NH4Cl的质量比不同时,NH4Cl对Al粉直接氮化起到不同程度的促进作用,产物表现为不同的外观形貌、不同的含量及不尽相同的结晶情况.当Al粉与NH4Cl的质量比为9∶4时,反应产物氮化铝纳米线的含量比较多,且外观形貌最好,结晶情况最佳.最后,结合V-S机制对NH4Cl促进AlN纳米线的生长机理进行了解释.     

两相区保温时间对QLT处理9Ni钢组织及性能的影响

将淬火态9Ni钢加热至670℃保温不同时间后水冷并回火.然后采用XRD法测定了实验钢中的逆转变奥氏体含量,进而分析了两相区保温时间对最终组织及性能的影响.结果表明:两相区保温时间为5 min时,其淬火组织特征与QT工艺较为接近;保温时间在10～30 min时,获得的组织与QT淬火后的组织产生明显的差异,组织中的大角度晶界显著增加,促进了回火过程中逆转变奥氏体的形成及钢低温韧性的改善;保温超过30 min后两相区淬火的特征逐渐减弱,钢的组织和性能再次趋近于QT处理,但当两相区保温时间更长时钢的低温韧性略有增加,这可能是由于钢中Ni元素的分布更加不均匀,促进了富Ni区形成更加稳定的逆转变奥氏体.