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提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数值模拟结果很好地吻合.结果表明:源漏偏压会造成线性区的沟道表面势减小,进而导致阈值电压下跌;而在饱和区,源漏偏压的影响更大,会造成表面势明显下降,阈值下跌将会更加严重. 相似文献
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在评价多核CPU加速比已知模型的基础上,基于第一性计算原理融合理解阿姆达尔定律和兰特法则,提出描述多核CPU加速比的一个新模型.研究方法是从传统的阿姆达尔定律切入,论述的逻辑顺序分别基于约束固定任务,固定时间,存储器和互连复杂性;兼顾了举例论述同构多核的NoC带宽性质和最大温度特性.计算表明:基于固定时间模型与存储器模型预测多核的加速能力,容易得到估计结果的乐观上限;我们提出的基于兰特法则的模型计算结果,在并行比例较大时稍小于但接近前述模型估计值,而比固定任务模型的保守结果要好;NoC带宽和最大温度的结果提示,多(同构)核CPU期盼相对高的并行度架构. 相似文献
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实验评估了"混沌"在商业化IC实现工具DC应用中的特性表现。方法是故意输入原本可以忽略不计的输入参数(自变量)扰动,记录与观察输出参数(因变量)质量的差异。统计实验结果,寻找输入自变量及输出因变量之间的非线性联系。基本结果是典型混沌现象的数量关系有如最坏的时序余量WNS(ns)与时钟微扰Clock Cycle Noise(ps)显现非线性函数关系(存在劣解或优值);关键结论是小输入扰动下在DC中运行同一电路多批(大于等于3),方便得到高质量的解决方案(基于TSMC65nm工艺)。 相似文献
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基于Multisim 10.1对蔡氏电路的功耗进行仿真研究。区别于以往分析混沌演化的时域、频域和相图特征方法,本文着重研究蔡氏电路的混沌复杂性与功耗的关系。首先调整蔡氏电路的电感,测量和分析纯阻的耗散功率特征,然后调整电阻(R=1)验证由电感变化(L=0.1mH)引起的功耗变化(P≈0.26mW)。最后得出,向蔡氏电路(Vcc≡±5V)注入大于0.26mW的功率,可以实现混沌从双涡卷状Chua吸引子向极限环的演进。 相似文献
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从小柳光正教授1978年堆叠的两只MOS电容DRAM的三维结构出发,到2010年半导体业界提出了Cu-TSV工艺方法,演进出一部三维集成微纳电子学。本文梳理近6年内的3D-IC测试的一次文献,重点分析了键合前测试、键合中测试和键合后测试。尝试从不同的角度,例如内建自测试、探头技术、串扰、短路与开路检测,以及基于成本优化的温升与应力检测,讨论3D-IC测试所遇到的难题及其解决方法。未来的3D-IC测试技术看好小组数超微探针技术、DfX技术和自适应测试,测试的优化方向必将考虑"成本与功耗折中权重下的良率"新模型。 相似文献
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基于人脑和蔡氏电路都能表现复杂的混沌特征,本文利用蔡氏电路为人脑建立电路模型.文中利用Multisim10?仿真蔡氏电路,提取纯阻 R1两端电压,作为原始待分析数据.类积分法、李亚普若夫指数、微窗口法和 P分数等四种方法顺次应用于选取数据分析窗口.基于数据窗口,分别调整电感 L和非线性电阻参数R5,得到纯阻 R1的平均功率及其最小值 PR1min (1.56×10-4W).同时以 PR1min为底数,利用Log函数计算 R1的平均功率对应的指数值.对比最近几年人脑近红外耳穴信号研究成果,R1平均功率指数与以微笑时人脑额区消耗功率为底数的人脑平静、诚实和说谎的功率消耗指数分布相同.结合人脑实际消耗功率,我们选取纯阻 R1最小平均功率对应的蔡氏电路并联,实现平静、微笑、诚实和说谎的人脑额区蔡氏电路模型.此电路模型为人脑非线性模型研究提供了一个崭新的研究思路. 相似文献
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设计一款红绿色弱诊疗ASIC,利用加法混色原理量化诊断红绿色弱认知,利用心理旋转现象理疗色觉体验,基于CPLD实现和应用. 相似文献
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