a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性.     

n－CdS／p－CulnSe_2异质结二极管电流传输机制的研究──计算机模拟分析

应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解电子、空大连续性方程和泊松方程，对ＣｄＳ／Ｃｕｌｎｓｅ。异质结的伏安特性进行计算机数值模拟。基于材料、器件参数的实验数据，我们的计算结果支持ＴＣｕＩｎＳｅ。中的Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ空间电荷（ＳＲＳＣ）复合是控制ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ。异质结二极管正向电流主导的物理机制，进一步说明在提高ＣＩＳ太阳电池性能的努力中开展ＣｕＩｎＳｅ。化学缺陷研究的重要性。     

μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ型或Ｐ型掺杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（＞８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流     

μc—Si：H p—i—n薄膜太阳能电池中i层的设计分析

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ：Ｈ ｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层或Ｐ型择杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－ＳｉＨ：ｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（〉８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流。     

嵌入a—Si：H薄层的μc—Si／c—Si Pn异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟

应用计算机数值模拟方法计算ｐ＾＋（μｃ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）及ｐ＾＋（μｃ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ＿／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池中的电池中的电场强度分布,说明μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结电池制造中μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜厚选择,进而对嵌入ａ－Ｓｉ：Ｈ薄层的μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异质结太阳能电池设计进行分析,包括ａ－Ｓｉ：Ｈ薄层ｐ型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择,最后讨论μｃ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ异     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应──太阳电池光致性能衰退的计算机模拟

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电有的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场＂死层＂），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池中电场分布的改变（空间电场效应）是引起电池性能衰退的物理机制。但在薄ｉ层的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池中空间电荷对电池内电场调制的体效应已很微弱，这是该电池结构可获得高稳定性能的原因。     

晶体管发射极电流集边效应理论研究的新进展

介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果,与方程近似解相比,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量,也为功率晶体管设计提供更确切的理论依据。     

基于EDW参数的多源雷达对抗情报数据关联改进方法

以EDW(Emitter Discreption Word)为对象,对多源雷达对抗情报数据关联处理方法开展研究。首先对EDW数据关联处理过程进行了优化改进,然后对常见的几种类型参数的关联度计算判断方法进行研究和分析,并给出了整体关联度计算方法,最后对关联过程中涉及的信号参数容差、参数权重系数等重要参数的设置方法进行了讨论。理论分析和仿真结果验证了改进后方法的有效性。     

a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析

通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c- Si异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性     

a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程，对热平衡态a-Si/poly-Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟，详细分析光照射前后a-Si／pli—S1叠层太阳电池中电场强度分布，指出在光照射下，光生空穴俘获造成的a-Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布，普遍抬高a-Si：H薄膜中的电场强度，没有给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si：H薄膜带来准中性区(低场“死层”)，不会发生a-Si/poly-Si叠层太阳电他的光诱导性能衰退，因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。