a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析

基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。     

n~+-i-n~+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析

将描述电极性质的结区电场选作n~+-i-n~+或(n~+-n-n~+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。     

a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的ａ－Ｓｉ／ｐｏｌｙ－Ｓｉ叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。表明,光生空穴俘获造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场 布,普遍抬高ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中电场强度。     

氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应──PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程,对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,载流子俘获效应所造成的α－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区（低场“死层”）的出现,使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了α－Ｓｉ：Ｈ中载流子俘获效应的研究在高稳定性ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。     

基于迁移学习的红外图像多目标检测技术

针对用传统方法难以解决城市背景下红外图像多目标检测的问题,采用迁移学习技术把深度学习中可见光域的目标检测框架迁移到红外域中。利用该方法建立的模型的小目标检测性能非常好,在制作的测试集上平均精度mAP（IoU=0.50）为0.858。还对训练数据与模型检测性能之间的关系进行了初步研究。制作了大数据量和小数据量2个训练集,对模型进行训练,然后在相同的测试集上进行测试。通过小数据量训练的模型在制作的测试集上的平均精度mAP(IoU=0.50)为0.615。实验结果表明,数据的多样性、数量、质量等都会影响模型的好坏。     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应——太阳电池光致性能衰退的计算机...

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电荷的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场“死层”），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池     

类p-I-n结构n+(μc-Si∶H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池的热平衡态特性数值分析

通过应用Scharfetter-Gummel解法,数值求解Poisson方程,对热平衡态n+(μc-Si∶H)/p(poly-Si)/p+(poly-Si)薄膜太阳电池进行计算机数值模拟.说明类p-i-n结构设计使电池获得了较高的短路电流JSC,而中间层p(poly-Si)的掺杂有利于提高电池的短波量子效率特性,还讨论了n+(μc-Si∶H)和p+(poly-Si)等层厚度对光生载流子收集的影响.