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21.
报道了气态分子束外延(GSMBE)生长1.8—2.0μm波段InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器的研究结果.1.8μm波段采用平面电极条形结构,已制备成功10μm和80μm条宽器件,器件腔长500μm,室温下光致发光中心波长约为1.82μm,在77K温度下以脉冲方式激射,阈值电流分别约为250mA和600 mA,中心波长分别在1.69μm和1.73μm附近. 2.0μm波段,制备成功8μm宽脊波导结构器件,器件腔长500μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm,77K温度下以脉冲方式激射,阈值电流约为 20mA,中心波长约为1.89μm,其电流限制和纵模限制效果优于平面电极条形结构器件.  相似文献   
22.
1.8 μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了1.8μm波段台面第形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果,器件在77K下以脉冲方式工作,阈值电流约25mA,中心波开约1.84μm。  相似文献   
23.
食品着味技术与设备的研究罗庆丰马海峰柏劲松杨仕勇梅学群童刚天津商学院1前言随着社会的发展,人们对小吃食品的质量、档次要求越来越高,既要求食品保持其原有的完善品质又希望具有浓郁的风味,既要求营养丰富,又希望其低脂和低热,风靡全球的休闲食品就是这样合乎了...  相似文献   
24.
报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm ,77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流约为 2 0 m A ,中心波长约为 1.89μm,其电流限制和纵模限制效  相似文献   
25.
以球缺型EFP为计算模型,应用显式有限元程序LS-DYNA对满足模拟比的EFP的形成过程进行了数值模拟.数值计算结果表明,在各对应时刻,模拟弹与原型弹的速度、长细比都相当,EFP外形也相似.因此,几何相似律在EFP成形研究中是成立的,同时也说明数值模拟方法具有实用性强,计算精度高等特点,它为EFP的研究提供了一种可行的方法.  相似文献   
26.
A simple one-dimensional planar model for ejection was set up based on experiments.And numerical simulation was performed on this model with particle trajectory model method.An Eulerian finite volume method was conducted to resolve gas field.And Lagrangian method was imposed to track each particle.The interaction between gas and particles was responded as source terms in governing equations which were induced by forces.The effects of total spraying mass,particle size and other factors on the mixture of particles and gas were investigated.The spatial distributions of particle mass and velocity at different time were presented.The result shows that the numerical results are qualitatively consistent to those of experiments.  相似文献   
27.
阐述了液体物料灌装机横向密封的主要过程,简单介绍了TRIZ发明原理解决技术系统问题的基本方法;分析了液体物料包装盒生产率瓶颈的主要原因。利用TRIZ发明原理对液体物料灌装机横向密封的瓶颈问题进行了研究,提出了提高灌装机的生产率和经济效益的创新性方法。  相似文献   
28.
报道了 GSMBE方法生长波长 1.84μm的 In Ga As/ In Ga As P/ In P应变量子阱激光器 . 40 μm条宽、 80 0 μm腔长的平面电极条形结构器件 ,室温下以脉冲方式激射 ,2 0℃下阈值电流密度为 3.8k A/ cm2 ,外微分量子效率为9.3%  相似文献   
29.
报道了用MBE生长的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作,实现了83mW的峰值功率输出,阈值电流为250mA,典型峰值波长为2.00μm左右。  相似文献   
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