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21.
金刚线切割多晶硅片表面减反射结构难以制备的问题阻碍着多晶硅光伏的进步.银辅助的酸腐蚀是解决这一问题的较好方法,但银的消耗和废液处理等增加了成本.本研究提出了醋酸铜辅助催化刻蚀金刚线切割多晶硅片方案,考察了刻蚀反应温度和时间对硅片表面形貌的影响,确定了最优的反应温度和时间分别为25℃和5 min.在此条件下,所获得的多晶... 相似文献
22.
采用八乙烯基倍半硅氧烷(OV-POSS)通过原位聚合法制备了POSS/PMMA杂化材料。通过FTIR、SEM,EDS以及力学性能和透光性雾度的测定等方法对杂化材料的结构和性能进行了表征。结果表明,POSS的加入对PMMA可见光的透过性无影响。POSS含量较低时,POSS的引入能明显改善材料力学性能,但当POSS含量较高时,力学性能下降。当POSS的含量为0.6%时,与纯的PMMA相比,断裂伸长率略有降低,降低了5.8%,然而,其他力学性能均有提高,其中,拉伸模量和强度分别提高了22.7%和32.0%,弯曲强度和模量分别提高了9.8%和27.0%。 相似文献
23.
24.
利用STM和LEED分析了Ge在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变,在生长早期,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并在高温退火时积增大,当生长继续围内形成以(111)方向为主的晶面,相反,在非晶的Si3N4表面,Ge的(111)晶向的小面生长比其他方向优先,最后在大范围内形成以(111)方向为主的晶面,相反,在非晶的Si3N4表面,即Si3N4/Si(100),Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快,最终形成金字塔形的岛结构,对这样的表面生长过程进行了探讨给出合理的物理解释。 相似文献
25.
本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17~ 10 18cm-3 ,且过渡层分布陡峭 相似文献
26.
利用STM和LEED分析了Ge在Si3 N4 /Si(111)和Si3 N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变。在生长早期 ,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并在高温退火时体积增大。当生长继续时 ,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3 N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Ge的 (111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以 (111)方向为主的晶面。相反 ,在非晶的Si3 N4 表面 ,即Si3 N4 /Si(10 0 ) ,Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快 ,最终形成金字塔形的岛结构。对这样的表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释 相似文献
27.
在保留纺织品原有功能的基础上,通过特定的化学处理使纤维具有对皮肤下产生生理性运动,结合纺织品穿着时对人体的动态多点接触,可以有效地解除或减轻这种烦恼。本文对冻疮的成因、解除方法及效果验证等作了全面介绍。 相似文献
28.
29.
GS柱表和PKPM柱表是结合柱定位图表示多层柱截面尺寸、钢筋的一种表示方法。通过分析GS柱表和PKPM柱表的特点,提出GS柱表和PKPM柱表的识别方法。将算法程序在自主的三维建模平台上进行测试分析,对不同的柱表均能正确提取到表格内的信息并后续能成功匹配到模型中。实验结果表明:所提方法在计算机图形算量中,简化了建模操作,提高了三维建模速度和效率。 相似文献
30.