TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善

在新产品导入过程中会突发各种Mura类不良。本文为解决TV机种导入中出现的一种原因未知的角落白Mura,首先进行了大量的排查和推理,初步判定异常来源于成盒工艺(Cell)段,利用气相色谱(GC)、高效液相色谱(HPLC)设备测试并对比了角落白Mura区域与正常区域的液晶纯度、液晶组份和框胶溶出的差异,最后探讨了其形成的机理。结果表明角落白Mura区域液晶组份发生较大变动,液晶组份挥发是角落白Mura产生的主因。通过优化贴合时的真空抽气时间、真空保持时间、液晶滴下点数、液晶与边框胶距离等一系列的改善措施,使产品的角落白Mura发生率从16.59%降到了0.001%以下管控范围。实验有效解决了角落白Mura异常并为今后类似Mura类不良的对策提供了思路,同时提升了公司的效益和竞争力。     

彩电VCD、DVD常用带阻晶体管应急代换电路一览表(下)

┏━━━━━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┓┃ 代换电路 ┃ 主要电参数 ┃ 可 代 换 型 号 ┃┣━━━━━━━━━┳━━━━━━━━┫ ┣━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┫┃ NPN型 ┃ PlOP型 ┃Vc¨(V)k-(^)Pc-(W) ┃ NPN型 ┃ PNP型 ┃┣━━━━━━━━━╋━━━━━━━━╋━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━…     

黑龙江铁通矩阵式服务助力铁路跨越式发展

百年铁路,百年通信。虽然员工更迭了一代又一代,设备更新了一茬又一茬,技术前进了一步又一步,但铁路与铁通风雨同舟、血浓于水的世纪情结伴随着时光的推移而历久弥新。     

省委书记钱运录关注“两会”通信服务

2006年2月6日．黑龙江省人大十届五次会议和省政协九届四次会议相继在哈尔滨召开。黑龙江省电信运营企业精心做好通信保障工作并为“两会”提供优质服务。     

Li6Gd(BO3)3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能

采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm，长40mm的Li6Gd（BO3）3：Ce晶体，XRD分析表明，生长出的晶体为单一的Li6Gd（BO3）3：Ce相，结构属P21／c空间群．对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论，并从晶体结构的角度解释了（020）完全解理面出现的原因．晶体在380-800nm之间的透过率接近90％，200-380nm之间的吸收是由Ce^3＋离子的4f-5d跃迁和Gd^3＋离子的4f-4f跃迁引起的．不同激发源激发下的发射均显示Ce^3＋离子的双谱峰特征；相比于紫外激发下的发射而言，X射线激发下的发射光谱略有红移．该晶体发光符合单指数衰减模型，衰减时间为30．74ns，在241^Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28．84％．