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22.
在现场的自控系统中,由于计算选型不当或实际工艺参数与设计时差别太大,使少数调节阀在小开度运行,不能满足系统的调节要求.还会发生振动和噪音。为改善调节阀的运行状况,应了解每个调节阀所在岗位的工况参数并进行计算,在不调换阀体的条件下,可用两个办法进行改制,一是把直线特性改为等百分比特性,二是缩小阀座直径或减少套筒上的窗口截面,缩小阀的额定C值;有时兼而用之,使这些调节阀适当增大开度.在正常范围内运行。文中举两个改制成功的实例,供用户参考。 相似文献
23.
纯钛表面微弧氧化膜纳米压入法研究 总被引:4,自引:0,他引:4
微弧氧化是一项较新的等离子体化学-电化学成膜技术,硬度和弹性模量是膜的基本微区力学性能。采用交流微弧氧化方法的铝酸盐溶液中在TA2纯钛表面制备出较厚的氧化膜,利用纳米压入法测定了膜的硬度和弹性膜量,并探讨了微弧放电对氧化膜相组成和性能的影响。研究结果表明:膜的显微硬度和弹性模量分布有相似的变化规律,从膜表层到膜内部,硬度和弹性模量逐渐增加,并在内层膜达到最大值,分别为9.78GPa和176GPa,比钛基体高的多;膜不同浓度处TiO2金红石和TiAl2O5相的相对含量变化决定了硬度和弹性模量的分布。 相似文献
24.
6061铝合金微弧氧化陶瓷膜的生长动力学及性能分析 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了6061铝合金微弧氧化陶瓷膜的生长规律,分析不同膜厚度下膜层截面组织、成分和相组成,并测量了氧化膜显微硬度分布和电化学腐蚀特性.氧化膜生长分为3个阶段,随着氧化时间的延长,膜层由向外生长逐渐过渡到向内生长,其表面粗糙度线形增加.氧化膜由α-Al2O3、γ-Al2O3和SiO2非晶相构成,SiO2相主要分布在外部疏松层里.显微硬度极大值随膜厚增加而增大,硬度值同α-Al2O3的相对含量密切相关.6061铝合金经过微弧氧化处理后抗腐蚀能力得到很大提高. 相似文献
25.
26.
采用微弧氧化表面处理技术在SiC颗粒增强AZ31镁基复合材料表面制备保护性陶瓷膜.分析了陶瓷膜的表面形貌、截面组织和相组成,并测量了膜层的硬度、热震和电化学腐蚀特性.结果表明,陶瓷膜由MgO、Mg2SiO4和少量同电解液组成元素相关的相所组成,膜内还残留少量SiCP增强体.膜层的最高硬度可达到HV800,比复合材料基体提高五倍以上.经过100次热循环(500℃→水淬)后膜层与复合材料结合良好,显示该膜层有较好的抗热震性能.微弧氧化处理后,SiCP/AZ31镁基复合材料的抗腐蚀能力得到较大提高. 相似文献
27.
目的 研究微弧氧化表面处理对纯锆高温蒸汽氧化行为影响.方法 采用微弧氧化技术(MAO)在磷酸盐电解液中纯锆表面制备厚约2.5μm的陶瓷膜,再利用热重分析仪(TGA)测量它们在1000~1200℃蒸汽环境中的氧化性能,并分析蒸汽氧化前后氧化膜的微观结构、物相组成.用辉光放电谱仪(GDOES)分析蒸汽氧化前后锆基体及微弧氧化样品Zr、O、P、Na、C、H元素的成分深度分布.结果 锆基体及微弧氧化膜加速氧化动力学转变温度约为600℃.在1000℃蒸汽中,微弧氧化处理的纯锆样品氧化增重低于锆基体.蒸汽温度达到1100℃以上时,锆基体和微弧氧化膜的氧化增重曲线几乎重合.蒸汽氧化初期氧原子快速扩散至β-Zr中,当较厚α-Zr(O)层和ZrO2层形成后,氧化速率主要取决于氧在α-Zr(O)层中的扩散速率,而且氧化锆层阻挡了氢扩散进入锆基体.高温蒸汽氧化后,纯锆表面氧化层主要由单斜氧化锆(M-ZrO2)相和少量的四方氧化锆(T-ZrO2)相组成.结论 在1000℃以下,微弧氧化膜增强了锆基体的抗蒸汽氧化能力,但1100℃以上没有保护作用. 相似文献
28.
Ti-6Al-4V在NaAlO2溶液中微弧氧化陶瓷膜的组织结构研究 总被引:24,自引:4,他引:20
利用交流微弧氧化方法在NaAlO2溶液中在Ti-6Al-4V合金表面制备出氧化物陶瓷膜,用扫描电镜及能谱仪研究的陶瓷膜的形貌、组织和Ti、Al、O元素的分分布,并用X射线衍射分析了陶瓷膜的组成,所制备的陶瓷膜与基体办面结合良好,膜厚约50微米,分为内外两层,外层膜由大量TiA12O5相及少量金红石型TiO2相组成,内层膜的TiA12O5相含量显著降低,金红石则成为主体相,同时还发现少量TiO1.9 相似文献
29.
在含有硼砂和甘油的电解液中对Q235低碳钢表面进行液相等离子体电解硼碳二元共渗(PEB/C)处理,研究不同时间条件下PEB/C共渗层的组织形貌,着重探讨了PEB/C二元共渗过程中电解质的分解反应和渗硼层快速生长机理。结果表明,在330V电压条件下,经过6min PEB/C处理后,在样品表面开始生成不连续的岛状硼化物;而经过30min PEB/C处理后,可以形成主要由Fe2B相组成的均匀致密的渗硼层,渗硼层的硬度可以达到1 800HV,厚度约为20μm。PEB/C共渗样品渗硼层的生长过程主要包括共渗初期阶段、生成岛状硼化物阶段和渗硼层均匀生长阶段。 相似文献
30.
铝微弧氧化电流效率的测定 总被引:12,自引:2,他引:12
初步测定了L2钝铝和LC4铝合金微弧氧化陶瓷膜生长过程的电流效率。铝微弧氧化电流效率在10% ̄30%之间变化。相同实验条件下,LC4铝合金电流效率比纯铝高。陶瓷膜达到一定厚度后,电流效率随氧化时间延长而不断降低。要生长出1μm厚的膜,纯铝和LC4铝合金的耗电量分别约为0.13kWh/dm^2和0.1kWh/dm^2。 相似文献