露天矿采空区分析处理

地方小煤窑的乱采滥挖很大程度上造成了当地煤炭资源的极大消耗和环境污染,同时采空区给露天开采留下了严重的安全隐患。根据露天矿开采中小煤窑采空区与工作台阶水平位置的不同,通过鲁佩涅伊特法计算出的顶板安全厚度作为分界点,提出采空区的3种不同状态及其相应的处理措施。以水泉矿为实例进行了分析研究,结果表明:其合理安全厚度为4煤7 m,9煤6 m,根据不同状态进行处理,保证了该矿安全、正常开采。     

气体取样自动控制系统设计

介绍了基于MT4400T触摸屏和S7-200PLC气体取样控制系统的设计,详细介绍了气体取样工艺要求和自动控制系统解决方案,重点阐述了PLC模拟量采集准确度的提高和采用PID算法控制实验气体流量的方法。     

电除尘器斜气流分布的实验研究

在实验室电除尘器模拟实验台上,保持气流分布板总开孔率不变的情况下,变化不同部位的开孔率,测量电除尘器内的气流分布,实验表明改变不同部位的开孔率,可以形成有一定规律的斜气流。     

基于异步光分组交换的高性能计算机系统

基于异步光分组交换及光组播技术,提出一种新型高性能计算机系统（HPCS）。采用分布式控制结构进行系统的分级管理,有利于处理大批量突发业务及系统的全光多级扩展。基于循环光纤延时线（Rec-FDL）,提出一种紧凑、大容量的异步全光分组冲突解决机制,并与传统的分组重传冲突解决算法（PRA）进行了性能比较;建立了系统的稳定性、丢包率及时延分析模型。仿真结果表明,对于一个能够实现40 320个CPU互连的两级系统,Rec-FDL机制的平均分组等待时延TRec-FDL约为0.004 ns,而PRA算法的平均分组等待时延Trerans随分组传输距离D增加而增加,在D为10 m和20 m时,Trerans分别等于0.006 ns和0.01 ns。因此,对于分布式HPCS而言,Rec-FDL机制具有更优秀的时延特性。     

一种求解F检验临界值的迭代算法

本文利用Beta分布与F分布之间的关系,获得了一种基于二阶展开求解F检验临界值的迭代算法,并给出具体算例证实了这是一种较为快速而行之有效的方法。     

单源及三源锥形束螺旋CT辐射剂量研究

通过对锥形束螺旋CT辐射区域的分析,给出了在反投影滤波精确重建法下,人或小动物经由单源及三源锥形束螺旋CT成像所受辐射剂量的具体计算公式,并验证了在这两种不同扫描方式下,他们所受的X-射线辐射剂量是相等的.     

工作卓有成效 成果来之不易——国务院督查组对我省公众聚集场所消防安全专项治理工作进行第二次督促检查

２００１年１０月２４－２７日，经国务院同意，根据国家１１个部、委、局的安排部署，以国家旅游局副司长李三旗为组长，国家监察部、文化部、卫生部和公安部有关人员组成的督查组，代表国务院对我省开展公众聚集场所消防安全专项治理工作的情况进行了第二次督促检查。 在滇短短的４天检查中，督查组一行风尘仆仆，以深入扎实的作风和认真负责的态度，围绕各级政府组织实施集中治理和督查验收工作情况，对专项治理工作结束后遗留问题的处理计划；各主管部门和监管部门在专项治理工作中履行职责的情况，开展专项治理工作的经验、教训以及在…     

省略推出机构的压铸模探讨

<正> 在压铸馍的设计中,一般情况下动模都设置推出机构。其作用是用来卸除铸件在凝固收缩过程中对动模成型零件的包紧力。本文所述的是对于某些压铸件,可以通过巧妙的模具设计达到省略推出机构的目的。这样就可以降低成本,缩短周期。铸件外表面的推杆痕迹也可以避免,这对于某些装饰性铸     

High sp~3 content hydrogen-free amorphous diamond: an excellent electron field emission material

Details are given of a study of the characteristics of field-induced electron emission from hydrogen-free high sp~3 content (>90 % ) amorphous diamond (a-D) film deposited on heavily doped (p<0.01 Ω·cm) n-type monoerystalline Si (111 ) substrate. It is demonstrated that a-D film has excellent electron field emission properties. The emission current can reach 0.9 μA at applied field as low as 1 V/μm, and the emission current density can be ahout several mA/cm~2 under 20 V/μm. The emission current is stable when the beginning current is at 50 μA within 72 h. Uniform fluorescence display of electron emission from the whole face of the a-D film under the electric field of 10-12 V/μm is also observed. The contribution of excellent electron emission property results from the smooth, uniform, amorphous surface and high sp~3 content of the a-D film.