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51.
随着数字化技术的不断升级与应用,数字水印技术在数字作品内容认证方面发挥着重要作用,尤其是在版权保护、数字信息以及真伪辨别与保密通讯等多个领域有着很大效果.因此,从多方面加强数字水印技术的创新与技术运用,将有很大的实践意义.本文将围绕数字水印技术的相关概念进行分析,并从精确认证、选择认证、局部认证、重建等内容进行全面分析,更好的实现数字水印技术在帮助保持和验证数字作品完整性上的功能和优势.  相似文献   
52.
随着社会经济与科技的发展,计算机网络信息技术也被广泛应用于金融、电信、日常生活等各个领域。且计算机网络信息极易受到窃取、丢失、篡改及恶意破坏等威胁。文章主要介绍了计算机网络信息安全具有的特征及影响因素,并对计算机网络信息安全的防范措施进行了探讨。  相似文献   
53.
介绍一种使用于敏感电阻的耐雷电波冲击测试仪的工作原理和基本性能,分别从雷电波产生电路,控制电路,冲击次数和时间控制电路等方面详细的介绍了电路设计思想。  相似文献   
54.
用廉价的可再生资源-亚麻油代替价格昂贵的己二酸、癸二酸合成原子灰用不饱和聚酯.实验结果表明该方法有效地降低了不饱和聚酯的成本,而且改性后树脂的气干性、柔韧性都超过市售产品,打磨性、附着力、热稳定性等都达到国家标准.最佳配方和工艺条件为:亚麻油用量为总质量的7%-8%,气干剂用量为总质量的8%-11%,醇酸摩尔比为1.05:1.00,抗结皮剂用量为总量的0.08%.  相似文献   
55.
广电行业的监控增值业务发展前景广阔,网络基础建设要随业务发展逐步跟上,经过对监控网络结构的特点、成本、安全、稳定性等的探讨,确定建立监控专网,以及该监控专网的具体实施方案。  相似文献   
56.
白丕绩  赵俊  韩福忠  李立华  王博  姚立斌  李敏 《红外与激光工程》2017,46(1):102003-0102003(8)
介绍了美国、以色列、法国等西方发达国家在数字化中波红外焦平面探测器方面的研究现状及发展趋势。从数字读出电路(ROIC)角度出发,阐述了上述三个发达国家开发的列级ADC数字化中波红外焦平面探测器的最新研究成果。在SWaP概念牵引下,以色列、法国都推出了小像元(中心距为10 m及以下)、高温工作、数字化输出的百万像素中波红外焦平面探测器组件。最后介绍了昆明物理研究所在数字化红外焦平面探测器组件研究方面取得的最新进展。昆明物理研究所突破列级ADC数字读出电路关键技术后,研制出一系列中心距(15 m、20 m、25 m)的640512列级ADC数字化中波红外焦平面探测器组件,主要技术指标与国外同类数字化中波红外焦平面探测器组件相当。  相似文献   
57.
本文主要针对互联网诈骗,提出了一种基于"云-管-端"三位一体联动的互联网诈骗综合治理方法,包括在云侧开展受害用户诈骗场景还原与威胁情报研判、多数据源挖掘分析等;在管道侧进行实时数据采集、监控与技术检测;在端侧宣传诈骗防范与安全视窗预警能力,形成了事前防范、事中控制、事后追溯的互联网诈骗治理闭环,并通过实践证明此方法的科学性和有效性,为电信运营企业开展互联网诈骗治理提供了可以借鉴的方法和思路.  相似文献   
58.
为了实现微流控芯片上多目标DNA片段的同时检 测,建立了基于光棒匀光结构的微流控芯片多色 荧光检测系统。根据微流控芯片中的聚合物链式反应(PCR)反应腔的特点,设计了基于超亮 白光LED模组、光棒、二向色镜 和CCD的正交型荧光检测系统。CCD可一次采集微流控芯片上所有PCR反应腔中的荧光信号 ,通过滤光 片轮组合的变换,可实现多种荧光标记物的同时检测。采用荧光素钠溶液对激发光的均匀性 进行了测试, 激发产生的荧光图像均匀度达到93.99%,可满足微流控芯片上多反应 腔同时检测的需求。同时,以pUC-18人工质粒DNA作为标准品,开展了微流控荧光PCR生物实验,对系统性能进行验证。实验结 果表明:微 流控PCR反应腔的 DNA浓度变化与荧光信号的变化相一致,pUC-18样品的检测限达到0.05pg/uL,扩增 效率为97.28%,熔解曲线显示无引物二聚体产生,特异性好,达到了 商业化仪器的水平。  相似文献   
59.
基于保偏光纤(PMF)的温度双折射效应,提出一种高精度、低成本、传输距离不受限制的反射式PMF温度传感器(TS)。通过与全光纤电流互感器(FOCT)共享光源、传输光缆及信号采集单元实现系统集成,可实现FOCT的远距离无源温度补偿,降低系统成本。完成了样机研制及测试,结果表明,PMF-TS的测温分辨率为0.1℃,测温精度为±0.2℃,响应速度与18B20数字温度传感器一致,响应速度及分辨率优于PT100铂电阻温度传感器,测温精度优于光纤光栅式、拉曼散射式、荧光式光学温度传感器。经温度补偿后,FOCT在-40~70℃温度范围内的比差波动小于±0.2%。  相似文献   
60.
采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R_0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R_0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.  相似文献   
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