火灾态势与社会经济因素关系研究的新方法

运用聚类分析方法和面板数据模型,将我国31个省(市)根据火灾态势划分为四类区域。以某一区域为例,分析了火灾态势与社会经济因素的关系,得到了影响该区域火灾态势的社会经济因素,为火灾防控工作和社会经济共同发展提供了理论参考。     

基于虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统研制

从效应研究的角度出发,利用Labview软件,自行研制了基于PCI插卡式虚拟仪器的CMOS器件脉冲总剂量效应在线测试系统,详细介绍了其硬件结构和软件设计思想,利用该系统在"强光一号"辐射模拟装置上开展了试验验证,表明其原理和技术途径是可行的,基本掌握了开展CMOS器件脉冲总剂量损伤以及时间关联退火响应研究的关键测试技术.     

超高分子量聚乙烯微孔膜的亲水改性研究——（I）臭氧活化接枝反应及其表征

利用O3处理超高分子量聚乙烯（UHMWPE）微孔膜，使其表面产生活性点，然后将甲基丙烯酸（MAA），甲基丙烯酸羟乙酯（胍MA）接枝在膜表面上．用ATR—FTIR、XPS等对O3活化及接枝前后的UHMWPE微孔膜结构进行了表征，接触角测试表明接枝后微孔膜具有较好的亲水性．     

90Sr-90Y源半导体器件辐照效应在线测量系统

介绍了一种新型半导体效应参数测量装置，以＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ为模型源辐射装置与半导体参数测量仪共同组成半导体器件辐射效应测量系统，可进行各类器件和电路总剂量辐照效应测量与分析，系统实现了在线测量和辐射剂量率的连续调节，特别适宜对于卫星空间辐射环境的模拟。     

基于AT89S51的密码锁设计

针对传统机械锁结构简单、安全性能低的特点,采用AT89S51单片机作为主控芯片,结合外围的按键电路、显示电路、报警电路、存储电路以及开锁电路,设计出一款可以多次更改密码,并且具有声音报警功能的电子密码锁。实践证明,该密码锁具有设计方法合理,简单易行,成本低,使用安全等特点。     

智能楼宇报警器

本文设计了一种自动防盗报警器,该系统选用了目前流行的热释电虹外传感器作为传感元件,单片机选用了功能齐全的AT89C51作为主控制芯片。该报警系统简单,实用,投资少,易于安装,能够满足普通用户对安全的需求,大大提高了小区的安全程度,有力的保护了人们的生命财产安全。     

三维连片处理技术在YYT地区的应用

三维地震资料连片处理过程中,由于资料采集的年代不同、使用的仪器不同、采集的参数不同,因此处理出的资料品质不一样,资料之间存在一定的边界效应,在进行资料解释时,构造不容易落实,解释精度大大降低,无法提供精确的连片解释成果。针对这些问题,在YYT—YYTX地区采用各类相对保幅的一致性处理技术,有效的解决了边界效应,使得拼接区块达到无缝拼接,为后续的连片解释提供了优质的处理成果。     

Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制

研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原理和软硬件实现方法。     

北京正负电子对撞机次级束质子单粒子翻转计算和试验研究

北京正负电子对撞机(BEPC)电子直线加速器试验束打靶产生的次级束中包含质子,其中能量约为50MeV~100MeV的质子占有很大比例,这弥补了国内高能质子源的空白。本工作计算得到次级束中的质子能谱,建立质子单粒子翻转截面计算方法,在北京正负电子对撞机次级束质子辐射环境中,计算静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面,设计了SRAM质子单粒子翻转截面测试试验,发现SRAM单粒子翻转和注量有良好的线性,这是SRAM发生单粒子翻转的证据。统计得到不同特征尺寸下SRAM单粒子翻转截面,试验数据与计算结果相符,计算和试验结果表明随着器件特征尺寸的减小器件位单粒子翻转截面减小,但器件容量的增大,翻转截面依然增大,BEPC次级束中的质子束可以开展中高能质子单粒子效应测试。     

3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors

This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors （SiGe HBTs）. 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects （SEE） is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.