1.5GHz CMOSECL输入接口的设计与测试

对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18 μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容.经测试,该接口最高工作频率达1.5 GHz.     

二齿差摆动活齿传动齿廓方程及几何性质分析

结合了费拉里解法、卡尔丹公式推导了二齿差摆动活齿传动的齿廓方程并分析了其几何性质.推导了二齿差中心内齿轮的齿廓方程,基于已得方程对曲率进行了仿真分析.讨论了不发生齿形干涉前提下,活齿半径的取值范围.讨论了传动比、活齿偏心距、凸轮理论廓线半轴长度及活齿半径等几何参数对齿顶曲率的影响.给出压力角随活齿架转角的变化关系,分析了几何参数变化对最小压力角的影响趋势.算法、几何性质分析及所得结论对该传动结构的几何设计等具有借鉴意义.     

加强管理 密切配合 提高水利投资使用效果

“六五”期间水利财务管理和资金使用效益成绩是显著的。我省财政工作,一直把支持水利事业发展做为财政支农工作的重点,由于财政和水利两家密切配合,加强管理,使有限的资金取得了比较显著的效果,完成了大量的防洪排涝、抗旱改水、水土保持等项工程,在抗灾增产,改变农业生产条件,促进农业生产持续、稳定、协调发展方     

基于柔性滑动分体式型腔模具的环形件内高压胀形研究

针对具有小半径圆角的薄壁环形件的内高压胀形工艺存在所需内压过大和零件贴模程度差的问题，提出了传统内高压胀形以及基于柔性滑动分体式型腔模具的内高压胀形两种成形工艺。分析了在相同加载路径下两种成形工艺的有限元模拟结果，确定了基于滑动分体式型腔模具的内高压胀形工艺方案为较优方案。采用正交试验探究了进给量、最大内压和保压时间对成形件的胀形高度和最大壁厚减薄率的影响，并对试验结果进行了极差分析，结果表明，进给量和最大内压分别是胀形高度以及最大壁厚减薄率的最大影响因素。对试验结果进行综合分析得到了最优方案，即进给量19 mm、最大内压80 MPa和保压时间1 s。采用最优方案进行了试验，结果显示该方案可成形出合格的零件，测量成形件的壁厚分布并与有限元模拟结果进行了对比，有限元模拟结果与试验结果的壁厚减薄趋势基本相符。     

固-液相转移催化N-单烷化合成1,5-二烷氨基蒽醌的研究

根据固－液相转移催化原理，由１，５－二氨基蒽醌经固－液相转移催化Ｎ－单烷化合成了５种１，５－二烷氨基蒽醌。产品收率分别达６０～８０％。探索了影响产品收率的工艺参数。     

X射线荧光光谱法测定煤中全硫

煤中全硫的测定方法主要有三种,即重量法（艾氏法）、高温燃烧中和法和库仑滴定法。上述方法有的分析时间长,有的分析成本高。我厂１９９４年投产的新型干法生产线采用飞利浦公司生产的ＰＷ１６６０多道Ｘ射线荧光仪进行生料控制分析。该仪器的特点是分析精密度高、速度快、操作简单。为了扩大该仪器的应用范围,我们对煤中全硫进行了荧光分析试验。１基本原理将试样放在原级Ｘ射线的通路上,试样中各元素的原子被原级Ｘ射线照射后,分别发出各自的特征荧光Ｘ射线,利用分析晶体将各种元素的特征荧光Ｘ射线分辨开来,以探测系统记录被测元素的特…     

光纤型微流控电泳芯片的研制

介绍了一种光纤型微流控电泳芯片,该芯片主要由两部分组成:多模光纤,PDMS基片和盖片.利用二次曝光技术制作出芯片的模具;通过浇注的方法制成电泳芯片;实现了在PDMS上制作深度不同的微流控沟道和光纤沟道,使光纤与微流控沟道能够方便地对准;利用异硫氰酸酯荧光素考察了系统的性能,最小检测浓度达到1.3×10-7mol/L,信噪比S/N=5.     

有清洁度要求的金属零部件清洗工艺探讨

本文叙述了清洁度的重要性、影响清洁度的因素,同时结合实际例子论述了如何从技术上改进清洗工艺提高零件清洁度,从而更好地满足客户的要求。     

高阻值纳米薄膜材料的热电特性测量

为了实现高阻值纳米薄膜材料的热电系数测量,搭建了一套塞贝克系数测量系统。研究了该系统的温控精度和温差生成机制并测量了高阻值条件下微弱电压。首先,建立了高真空度和带有多重电磁屏蔽的真空测试环境;然后,设计了高稳定度温差控制平台,以便为测试样品提供可控温差;同时根据高阻条件下的微弱电压的检测要求,消除了检测通道的漏电流和分布电容的影响。最后,提出了一种循环温差的测量方法,用于有效去除分布电容引起的塞贝克电压长期漂移。采用该方法对高阻值的有机半导体材料进行了塞贝克系数的测定,结果显示:阻值高达7×1012Ω的有机薄膜材料的塞贝克系数的测量精密度2%,温度控制精度为±0.001K。得到的结果表明,该系统能够实现对样品阻值高达1012Ω的纳米薄膜材料的塞贝克系数的测量。